Vol. 45, No. 4 (1996)
1996年02月20日
总论
1996, 45 (4): 545-555.
doi:10.7498/aps.45.545
摘要 +
提出一个可用离散朗之万方程描述的体温计模型.该体温计的特点是其温度示数只能随外界温度的升高而上升,当外界温度降低时,其示数却不能下降.根据体温计示数这种只升不降的特点,定义了“停顿”事件.用随机行走的理论解析地推导了停顿时间分布函数数值模拟和解析结果都显示这种分布函数呈幂律形式D(s)∝s-ξ,揭示出在这一过程中所表现出的临界性.
原子和分子物理学
1996, 45 (4): 556-562.
doi:10.7498/aps.45.556
摘要 +
在对类Ne La离子及其近邻的类Na、类Mg和类Al离子的n=3—n=2跃迁的波长和跃迁几率详细计算的基础上,考虑了等离于体中单个谱线的展宽和谱线之间的重叠.在高温条件和局部热动平衡近似下,得到了这些电离态离子同时存在时产生的具有带状分布特征的谱带的中心波长和半最大全宽度.解释了已有的实验结果,并预言了存在于更长波段上的谱带的结构
唯象论的经典领域
1996, 45 (4): 563-572.
doi:10.7498/aps.45.563
摘要 +
研究了利用相干陷落方法在单原子微激射器中产生具有四阶压缩和振幅平方压缩性质的稳态腔场.结果表明,在目前微激射器实验的腔损条件下,如果注入腔中的原子初始处于相干态,只要原子束的通量适当大,当原子在腔中的飞行时间满足陷落条件时,腔场可进入相干陷落态,此时腔场呈现稳定的四阶压缩和振幅平方压缩性质
1996, 45 (4): 573-579.
doi:10.7498/aps.45.573
摘要 +
利用已获得的大信号自由电子激光增益公式,导出了激光平均增长率表达式,分析了自由电子激光中电子与辐射波相互作用的有效时间,讨论了其主要物理参量对相互作用有效时间的影响
1996, 45 (4): 580-586.
doi:10.7498/aps.45.580
摘要 +
通过理论分析并用数值模拟证明,沿光纤周期地使孤子的频谱发生共轭反转可以有效地抑制孤子的自频移和互作用对超短孤子对传播的影响
1996, 45 (4): 587-594.
doi:10.7498/aps.45.587
摘要 +
对于一个其耗散项可看作微扰的Burgers-KdV(B-KdV)方程ut+uux+βuxxx=εuxx,|ε|?1,考虑一级近似和行波情形,建立一套求通解的直接扰动方法,利用零级方程的单孤子解,获得一级方程的孤子型通解,它包含任意多个不同的孤子解,每个孤子解分别描述一个位于半无限空间的孤子阵列,分析表明,耗散使得“亮孤子”变矮变窄,“暗孤子”变浅变窄.
流体、等离子体和放电
1996, 45 (4): 595-600.
doi:10.7498/aps.45.595
摘要 +
对非均匀载流柱形等离子体数值求解了计及有限离子频率效应和有限压强效应的磁流体力学方程组.证实了在有天线激励情况下,理想等离子体的阿耳文波共振层并不奇异,且阿耳文波可以越过共振层并得到等离子体的强烈响应.还研究了天线和等离子体的耦合情况,给出了m=1时的本征波谱曲线及典型波在等离子体中的传播,结果表明对各种频段的外界输入的磁流体波,都存在着到达共振层前被阻尼而在通过共振层后被放大的共同特征.
1996, 45 (4): 601-607.
doi:10.7498/aps.45.601
摘要 +
通过计算在等离子体温度不太高时尾波中本底等离子体的分布函数,推导出热等离子体中的尾波方程.这个方程对进一步研究如何最大限度地提高热等离子体中的尾波加速效率提供了出发点.讨论了温度对等离子体尾波加速的影响.
1996, 45 (4): 608-618.
doi:10.7498/aps.45.608
摘要 +
采用线性热势电导率模型和与时间有关的线性微扰理论,给出了氢弧和其它气体中低电流弧的热势分布(温度分布)、稳定性条件以及不稳定性增长率等定量结果.与均匀电流分布比较,稳定性区域变大.
凝聚物质：结构、热学和力学性质
1996, 45 (4): 619-627.
doi:10.7498/aps.45.619
摘要 +
采用小角X射线散射方法,结合差热分折及广角X射线衍射方法,对新型高强度、高韧性非晶合金Al88Ce2Ni9Fe1回火生成的纳米晶粒度分布和比内表面的改变进行了一系列分析研究,获得了关于纳米晶回转半径、Porod半径、散射积分不变量、粒度分布、结晶度、比内表面等方面的信息.
1996, 45 (4): 628-634.
doi:10.7498/aps.45.628
摘要 +
用1.2米长的落管对Al4Mn合金进行了形核与过冷的研究.在落管底部收集到的样品中得到了正交Al6Mn,β-Mn,两个十次准晶相关相、一个二十面体五次准晶相关相和十次准晶畴.发现这些相的含量与样品的尺寸大小有关,根据传统的形核理论对相含量与样品尺寸大小之间的关系作了定性的分析和讨论.
1996, 45 (4): 635-639.
doi:10.7498/aps.45.635
摘要 +
研究了紫外线辐照下BaFCl:Eu2+的光激励发光性质.测定了在不同温度下经紫外线辐照后的光激励谱,变化范围为10—300K同时研究了两种F色心的光激励发光强度在激励读出过程中随温度的变化关系.分析了光激励谱产生差异的原因.
1996, 45 (4): 640-646.
doi:10.7498/aps.45.640
摘要 +
采用分子动力学模拟的方法,研究了电场方向对电流变液剪切应力的影响结果表明由于流体中自发倾斜链的形成,剪切应力对电场方向有明显的依赖关系,并且在某些特定方向应力会显著增强一种关于电流变液理想结构的理论模型计算证实了该结果,这样人们可通过选择电场的最优方向来增强电流变效应,而不需要额外的能量消耗,从而为电流变液走向实用提供了一条可能的途径
1996, 45 (4): 647-654.
doi:10.7498/aps.45.647
摘要 +
用高能电子衍射(RHEED)研究H钝化偏角Si衬底上Si,GexSi1-x材料的分子束外延(MBE)生长模式,发现经低温处理的H钝化Si衬底上要经过10nm左右的Si生长才能获得比较平整的表面.Si,GexSi1-x外延时的稳定表面均以双原子台阶为主,双原子台阶与单原子台阶并存的结构.Si双原子台阶上的Si二聚体列(dimerrow)取向垂直于台阶边缘,而GexSi1-x双原
1996, 45 (4): 655-660.
doi:10.7498/aps.45.655
摘要 +
氢化纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于其具有奇异的结构和独特的性质,而引起广泛的关注.本文在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中,以高纯H2高度稀释SiH4为反应气体源,在射频和直流双重功率源的激励下制备成功具有纳米结构的nc-Si:H薄膜.利用高分辨率电子显微镜(HREM)、Raman散射谱(RSS)、扫描隧道电子显微镜(STM)等实验技术对nc-Si:H薄膜样品作了研究.基于对薄膜制备过程的动力学分析,提出nc-Si:H薄膜的分形生长模型:扩散与反应限
凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
1996, 45 (4): 661-666.
doi:10.7498/aps.45.661
摘要 +
研究类金刚石薄膜的直流电导率随温度的变化.结果表明在110到650K范围内,导电机制分别在低温、室温和高温三个区域内具有明显的规律.在低温区电导率服从logσ-T-1/4的线性关系;在室温区(中温区)和高温区电导率服从logσ-T-1的线性关系,但具有不同的热激活能和指数前系数.文中应用两相模型,对这些实验结果作了说明.
1996, 45 (4): 667-674.
doi:10.7498/aps.45.667
摘要 +
Bi1.6Pb0.4Sr2Ca2Cu3Ox超导体在65O℃O2中等温退火,调制结构由纯Pb型,经由Bi,Pb混合型,最后变为纯Bi型;反之,经Q2处理后,又在650℃流动N2中等温退火,调制结构又由纯Bi型,过渡到Bi,Pb混合型,最终将恢复到纯Pb型,整个过程基本可逆.调制结构的变化与Pb离子运动密切相关,P
1996, 45 (4): 675-680.
doi:10.7498/aps.45.675
摘要 +
提出一个适用于奈耳温度6.4K以下,Gd2CuO4的远红外反铁磁共振理论.理论预言的结果与Kaplan等的实验符合.
1996, 45 (4): 681-688.
doi:10.7498/aps.45.681
摘要 +
用密度矩阵理论和计算机模拟较详细地讨论了自旋I=3/2核四极共振(NQR)粉末体系对梳状脉冲的响应以及偏共振效应的影响.在偏共振强度(包括谱线的非均匀增宽)较小的条件下.由它获得的谱与二维章动谱是相似的.但是实验所需时间能够减少近两个数量级.
1996, 45 (4): 689-697.
doi:10.7498/aps.45.689
摘要 +
简述了应用布里渊散射测量晶体的弹性和压电系数的方法,推导了C2v点群晶体(100),(010)和(001)晶面内任意波矢方向的布里渊散射张量及声速各向异性方程.根据上述方法及结果,用180°散射测量了LBO晶体不同波矢方向的布里渊散射谱,得到了LBO晶体在特超声频率下所有独立的弹性和压电系数,并依此计算了该晶体的声速各向异性曲线.
1996, 45 (4): 698-708.
doi:10.7498/aps.45.698
摘要 +
报道室温下TmP5O14晶体在脉冲DCM染料激光激发下产生的紫外和深紫色上转换发光现象.测量发现在300—500nm波长范围内主要有两组上转换荧光,一是较强的1D2→3H6,3F4的360和450nm的双光子荧光,另一是1I6→3F4的347nm的三光于荧光,发现了由
1996, 45 (4): 709-714.
doi:10.7498/aps.45.709
摘要 +
在新结构薄膜电致发光器件中,电极处的势垒的高度决定电子的注入数量.在电极界面处插入不同的薄膜材料,可以改变势垒的高度,并对电子注入数量和器件的发光亮度产生影响.通过拟合计算得到ZnO/SiO,ITO/SiO的界面势垒高度分别为0.51和1.87eV.
物理学交叉学科及有关科学技术领域
1996, 45 (4): 715-720.
doi:10.7498/aps.45.715
摘要 +
建立了一种硫钝化GaAs(100)表面的新方法,即CH3CSNH2/NH4OH溶液处理,应用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)表征了该钝化液处理的n-GaAs(100)表面的成键,特性和电子态.结果表明,经过处理的n-GaAs(100)表面,S既与As成键也与Ga成键,形成S与GaAs的新界面,并且Ga和As的氧化物被移走,这标志着CH3CSNH2/NH4