Vol. 41, No. 12 (1992)
1992年06月20日
总论
1992, 41 (12): 1913-1918.
doi:10.7498/aps.41.1913
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计算了两个Schwarzschild黑洞视界的高斯曲率、赤道周长和极向周长。研究了这些量随两个黑洞之间的距离不同而产生的变化。结果表明两个黑洞中的一个对另一个视界几何性质的影响。
1992, 41 (12): 1919-1928.
doi:10.7498/aps.41.1919
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从弱引力场的Einstein-Maxwell方程出发,讨论了晶体空间阵列的狭窄波束型高频引力辐射与电磁场的作用效应,并给出了扰动解。计算表明,在TT(Transvese Traceless)坐标系中,最优辐射方向的引力波束是纯十型极化的,并可使同频的电磁波产生倍频的扰动效应,使静态电磁场产生与时间成线性关系的累积扰动效应。对于任意方向上的引力辐射波束,在垂直于引力波矢的平面内仍然是纯十型极化的。在高频辐射和实验室典型尺度条件下,TT坐标系与Fermi坐标系的差异是可以忽略的。
核物理学
1992, 41 (12): 1929-1937.
doi:10.7498/aps.41.1929
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从同一种Skyrme相互作用出发,利用Green函数的质量算符方法,推导了氘-核微观光学势的解析公式;利用半经典变分方法,确定了靶核的核子密度分布。然后,再利用上述计算公式和密度分布,系统地研究了在不同的氘核入射能量下2D+40Ca,2D+60Zr和2D+208Pb的光学势实部和虚部。这样得到的氘-核光学势是完全自洽和微观的。
1992, 41 (12): 1938-1942.
doi:10.7498/aps.41.1938
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报道用喇曼散射技术对a-Si:H/a-SiN:H和a-Si:H/a-SiC:H两种周期性超晶格中纵声学声子折叠模的系列研究结果。获得了a-Si:H/a-SiC:H超晶格的纵声学声子折叠谱。并用弹性连续介质模型对折叠纵声学声子的色散关系进行了理论计算,其结果与实验值符合得很好。同时,对布里渊区中心频隙的存在做了简单的讨论。
原子和分子物理学
1992, 41 (12): 1943-1949.
doi:10.7498/aps.41.1943
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使用脉冲光学双共振方法研究了碘分子“E”带离子对态,激发光总能量范围为43180—43600cm-1。实验获得了“E”带两个尚未见报道的离子对态E1(13≤V′(E1)≤17)和E2(15≤V′(E2)≤19),其中T(e1)=41909.13±1.786cm-1,T(e
唯象论的经典领域
1992, 41 (12): 1950-1954.
doi:10.7498/aps.41.1950
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研究了两个双能级原子与单模辐射腔场的喇曼相互作用。分别计算了两个原子与光场之间具有不同耦合常数和两个原子虽与光场具有相同耦合常数但同时考虑了原子间偶极-偶极相互作用两种情形下的辐射谱。分析了两个原子与辐射场之间耦合常数的相对大小和两原子间偶极作用的计入对辐射谱的影响。
1992, 41 (12): 1955-1960.
doi:10.7498/aps.41.1955
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无规排列功率谱与其单元功率谱的比值被称为干涉因子。根据统计数据实验,研究了干涉因子的精细结构,提出了受抑无规行走概念,给出了与干涉因子取值从N2降为N所对应的有序孔径角公式。公式表明,有序孔径角与随机点源数目N值无关,与随机点分布区间有反比关系,其数值几倍于规则排列功率谱的角宽度。
1992, 41 (12): 1961-1967.
doi:10.7498/aps.41.1961
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用光学变换一般理论设计出仅用两个纯位相片构成的光学系统可以将高斯型激光束变换为均匀束。本文对两个纯位相片的位相分布函数进行了计算并设计出10台阶量化的纯位相片。制备纯位相片的方法是采用超大规模集成电路中微细加工技术。实验结果表明能量转换效率高于95％,输出波形与理论计算一致。
凝聚物质：结构、热学和力学性质
1992, 41 (12): 1968-1971.
doi:10.7498/aps.41.1968
摘要 +
利用电子衍射在正常凝固Al65Cu20Co15合金中观察到不属于Fibonacci序列的新的空位有序超结构相τ23,τ27和τ35。衍射强度计算表明其堆垛方式分别为332323232,3323323323和3323323323323。
1992, 41 (12): 1972-1979.
doi:10.7498/aps.41.1972
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通过相似变化矩阵,对具有N重旋转对称的二维准晶系统的哈密顿量和动力学矩阵进行对角约化。当N为偶数时,电子态与声子态中有(N-2)/(N+2)是双重简并,而4/(N+2)是非简并;当N为奇数时,电子态与声子态中有(N-1)/(N+1)是双重简并,而2/(N+1)是非简并。利用群论方法得到相同的结论。
1992, 41 (12): 1980-1986.
doi:10.7498/aps.41.1980
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求得了各向同性弹性介质中直位错段的膨胀场的向量表示式。由此求出分段折线和光滑曲线组成的几何弯结与替代式溶质原子的弹性交互作用位场,并用数值计算了fcc晶体中各类位错上不同宽度的几何弯结的交互作用位沿位错管道的分布。分析了螺型位错和混合型位错上几何弯结与空位交互作用引起两种内耗的可能性。
1992, 41 (12): 1987-1992.
doi:10.7498/aps.41.1987
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计算了各向同性弹性介质中螺型位错上几何弯结与替代溶质原子弹性交互力场和刚度场。计算了简谐振动弯结的弹性交互作用的按时间平均场沿螺型位错芯管道的分布。当振幅大于近似为弯结宽度的临界振幅后,平均交互作场发生对称破缺、由单峰变成双峰,弯结中心由溶质原子的低能稳定位置变成不稳定位置。分析了替代溶质原子沿螺型位错管道扩散自组织形成双峰气团并使弯结振动由简谐型过渡到多谐振动的参数范围。
1992, 41 (12): 1993-2002.
doi:10.7498/aps.41.1993
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着重讨论了准静水冷压对Bi系高温超导材料超导电性的影响,并分析了经冷压-退火处理后超导电性的改善情况。准静水冷压处理后,Bi系超导材料晶粒间界连接发生显著退化,晶粒内部产生大量缺陷,由此导致了宏观超导电性的退化。冷压造成了体密度的极大提高和一定的晶粒择优取向。这些现象主要是由于准静水压下剪切应力的作用。退火后,晶界连接得到很大加强,部分缺陷消失或形成堆错使材料各项性能均获改善。Jc(77K,零场)较初始样品有大幅度提高,达约1600A/cm2。此外还考察了静水压
1992, 41 (12): 2003-2007.
doi:10.7498/aps.41.2003
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应用第二类相变的对称理论于磁性体系,导出了不同于幺正群情形的共表示的Molien函数;讨论了FeRh合金的对称破缺方向;发现由于磁群的共表示非磁群的真正同态,共表示意义下的等价不可约表示可导致不同的对称破缺;存在Oh1⊕θOh1→C4v1⊕θ[D4h1-C4v1]的连续磁相变,与实验结果一
凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
1992, 41 (12): 2008-2015.
doi:10.7498/aps.41.2008
摘要 +
在qc?ω条件下,对极性声子频率色散关系进行简化,得到了描述高低频介电函数间关系的广义Kurosawa关系和广义LST(Lyddane-Sachs-Teller)关系。通过测量TGS(硫酸三甘氨酸)晶体的偏振Raman谱,使这一新的理论结果得到了实验验证。
1992, 41 (12): 2016-2023.
doi:10.7498/aps.41.2016
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应用相干态方法讨论一维晶格的声学振动模与电子的相互作用,得出速度大于和小于声速的孤立子解,给出孤立子形状和能量。
1992, 41 (12): 2024-2033.
doi:10.7498/aps.41.2024
摘要 +
用固相反应法合成了名义组分为Bi1.92Pb0.32Sr2Ca1.7Mg0.3Cu3.07Ox的块状样品。X射线衍射谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电子探计X射线分析(EDAX)结果以及块状和粉状试样的交流磁化率测量表明,样品中存在110和85K两个超导相;2223相(110K)首先在2212相(85K)晶体的晶界和外部区域生成。本文认为,最初存
1992, 41 (12): 2034-2042.
doi:10.7498/aps.41.2034
摘要 +
在量子反散射方法框架内详细研究了开边界条件下Fateev-Zamolodchikov模型的潜藏定域规范不变性。结果表明,尽管模型Hamiltonian量及其本征矢明显规范相关,但能量本征值和Bethe方程却是规范不变的。
1992, 41 (12): 2043-2048.
doi:10.7498/aps.41.2043
摘要 +
研究了具有重入自旋玻璃转变的尖晶石系统CoxZn1-x(FeyCr1-y)2O4(0.4≤x≤0.8,y=O.5,0.8)中的微波磁共振,获得了共振线型、共振线宽、共振场、g因子、积累强度等共振参数与温度的依赖关系,并研究了磁性离子Co2+的浓度对共振线宽的影响。采用自旋成团效应及局域混乱场模型讨论了这些实验现象的机制,认为在一定条件下自旋团的形成、发展
1992, 41 (12): 2049-2054.
doi:10.7498/aps.41.2049
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本文报道了一种分析硅衬底上SiNx和SiOx的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeVHe的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeVH束分析更为有利,这是与He束背散射分析互补的一种方法。文中给出了实验结果,并进行了讨论。
物理学交叉学科及有关科学技术领域
1992, 41 (12): 2055-2060.
doi:10.7498/aps.41.2055
摘要 +
在Ar+O2混合气氛中射频反应性溅射Cd-Sn合金靶制备了透明导电Cd2SnO4(简称CTO)薄膜。用X射线衍射测量了CTO膜的结构。实验结果表明,这种薄膜的电学和光学性质依赖于混合气体中的氧浓度、衬底温度以及沉积后的热处理。获得的CTO膜最低电阻率为1.74×10-6Ω·cm,可见光光谱区最高透射率为95％。对于氧浓度为6％、衬底温度为400℃时沉积的CTO膜,经热处理后,其光隙能由热处理前的2.37eV增大为2.6