Vol. 33, No. 5 (1984)
1984年03月05日
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1984, 33 (5): 593-601.
doi:10.7498/aps.33.593
摘要 +
在各向同性介质的简并四波混频中,就共线(探测光波矢平行于泵浦光的波矢)和非共线装置,线偏振和圆偏振等情况,推导出反射波的复振幅(包括偏振)与探测光和泵浦光的振幅、偏振、介质的三阶非线性张量元之间的关系式。在非共线装置中,泵浦光为平行的线偏振光时,可利用探测波与反射波的偏振方向间的关系求出x1111与x1221的比值;泵浦光为同旋性的圆偏振光时,可获得理想的复共轭波。在共线装置中,在反射波中总含有一定的非共扼的成分,振幅反射系数与样品厚度的关系可能是正切、双曲正切或线性函数关系;泵浦光为平行的线偏振光时,若|x1221|>|x1122|,可产生自振荡现象;在泵浦光为旋性相反的圆偏振光时,对圆偏振的探测光可产生理想的平面镜反射的效果,等等。结果可用来解释一些已知的实验结果,并对新的实验设计具有一定的指导作用。
1984, 33 (5): 602-611.
doi:10.7498/aps.33.602
摘要 +
本文用计算机模拟方法分析了隐埋“月牙”形InGaAsP/InP激光器的动态特性,得到阈值电流,单模截止条件与有源区厚度(中心)d0、沟宽W、条宽s、腔长L和材料的电阻率Rx等结构参数间的关系。在模拟分析的基础上,提供了阈值电流与结构参数间的近似表示式,从中能简捷地估算激光器的物理特性。文内还提出了注入载流子浓度高斯分布模型,应用这模型,可准确地计算电流扩展和增益分布,且导出了最大增益gmax,阈值电流密度Jth,模增益Gth,最佳有源区(中心)厚度d0,min,最佳阈值电流密度Jth,min等一系列解析式。基于上述分析,该激光器最佳设计参数为d0=0.15—0.2μm,W=2—4μm,s=10—15μm,L=200μm。
1984, 33 (5): 612-620.
doi:10.7498/aps.33.612
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本文利用菲涅耳衍射积分公式,计算了大曲率半径球形光学列阵的成象特性,获得了成象公式及其成立的条件。文中证明了,自返平面列阵具有补偿畸变的能力,不是由于产生位相共轭反射波,而是由于自返光线的叠加和自返元件的特性。
1984, 33 (5): 621-628.
doi:10.7498/aps.33.621
摘要 +
本文利用Monte Carlo方法和修改了的原子散射总截面公式,计算了在合金中产生X射线的深度分布φ(ρz),并用于电子探针定量分析。对12种二元合金、一种三元合金和碳化硅中的碳作了计算,结果比ZAF方法和Shimizu方法好。尤其对碳的计算结果比ZAF方法更好,表明本文的计算方法用于轻元素定量分析是可行的。
1984, 33 (5): 629-638.
doi:10.7498/aps.33.629
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近来磁六极透镜作为球差校正器引起了人们的注意。本文研究了磁圆形透镜和磁六极透镜的场分布叠加形成的复合系统的象差。我们在复数域中定义了内积,采用了复数的表象和微分算符,全面讨论了这种复合系统的高斯光学性质及二、三、四级象差,得出了各级象差所有的象差系数的公式。
1984, 33 (5): 639-644.
doi:10.7498/aps.33.639
摘要 +
本文中分析了非过渡金属非晶态超导体的超导参量、声子谱参量与霍耳系数之间的经验关系。研究了非晶态超导体的Tc,并得出,声子谱的软化所导致的Tc的提高幅度与电-声子耦合常数λ的提高幅度成线性关系;声子谱的高频截止频率愈高,其Tc也愈高。讨论了利用声子谱的软化虽然能大幅度地提高Tc值,但要获得包括金属Be在内的非过渡金属的高Tc非晶态超导体的希望是渺茫的。还讨论了非晶态超导体的上临界场Hc2和能隙2Δ0所表现出的强耦合效应等问题。
1984, 33 (5): 645-653.
doi:10.7498/aps.33.645
摘要 +
本文叙述了用偏振中子衍射方法对Fe83B17非晶合金和中子衍射方法对Ni64B36非晶合金的结构研究。由实验数据计算了每种合金的偏干涉函数(PSF)Sij(Q),和偏简约径向分布函数Gij(r)。并得到原子短程结构上的各项参数。在此基础上,讨论了这一类非晶态合金的结构模型,计算了其一种模型简单单元的中子衍射散射强度,并和实验所得的结果作了比较。
1984, 33 (5): 654-661.
doi:10.7498/aps.33.654
摘要 +
我们采用一组统一的基函数,从头计算第一、二列元素的双原子氢化物以及第一列元素的同核和异核双原子体系的波函数。本文是三篇一组文章的第一篇,得到了双原子氢化物的电子波函数以及轨道能量和总能量等物理量,原子核间距取实验值和(或)理论值。这些波函数是狭义Hartree-Fock方程的以Double Zeta收缩高斯型函数为基函数的展开式。这些态包括体系的基态AH、一些低激发态AH*和正负离子态AH±,A表示周期表中Li到F和Na到Cl的各种元素。计算限于闭壳层电子组态或只带一个没有填满的开壳层电子组态。作为例子,三种基态AH的电子波函数表报道于文中。
1984, 33 (5): 662-670.
doi:10.7498/aps.33.662
摘要 +
本文系统地研究了Au在Si-Si3N4界面的电学效应及其热处理行为,对MNS结构进行了电子能谱分析,并探讨了Au在界面处的作用机制。
1984, 33 (5): 671-677.
doi:10.7498/aps.33.671
摘要 +
在一类非线性系统中,应用频率控制方法,对倍周期分岔与混沌行为进行了研究。在V0-ω外控参数平面上,频率扫描显示了分岔与混沌的整体结构:正的和逆的倍周期分岔序列的对称性;分岔收敛于一点的封闭性。本文中所建议的方法,将是一种研究分岔与混沌现象有效而快速的手段。它不仅能定量测量收敛比δ和标度因子α,分段展开还能定性地观察阵发混沌和嵌套在混沌带中的各种窗口等。分岔与混沌是一类非线性系统的频率响应。
1984, 33 (5): 678-683.
doi:10.7498/aps.33.678
摘要 +
随机磁场改变了波与粒子之间的耦合关系。因而使波驱动的速度扩散受到影响。其结果是:波电场的横向分量可以对纵向速度扩散有贡献;∈>1情形,扩散系数的振荡效应被削弱。当随机磁场的关联时间与波的特征时间之间相对大小不同时,随机磁场产生影响的具体机制不完全相同,所造成的后果也有差别。对于接近于在垂直方向传播的波,随机磁场对速度扩散的影响一般是重要的。
1984, 33 (5): 684-688.
doi:10.7498/aps.33.684
摘要 +
本简报对理想第二类超导平板的纵场临界电流曲线进行的分析表明了,当平板厚度d大于临界厚度d0时,曲线呈倒U字形;当d小于d0时,曲线呈现出峰值效应。
1984, 33 (5): 689-693.
doi:10.7498/aps.33.689
摘要 +
采用低O,S含量的纯铁和高真空无坩埚悬浮熔炼技术制备合金。研究了微量Ce(0.1wt%)在Fe中存在形态及对Fe-Sb合金的作用。结果表明:(1)Ce加入Fe中,发现明显提高α-铁素体晶界抗腐蚀性。其晶界上没有发现Ce的存在。但在高温δ相晶界上有网状析出物,并证实该析出物由O,Ce的化合物组成,从萃取粒子的电子衍射分析发现,许多粒子是由CeAlO3相构成。(2)Ce加入Fe-Sb合金中能起净化晶界的作用,使原先沿晶界分布的Fe3Sb2相不再存在,而在晶内发现有CeSb相存在。
1984, 33 (5): 694-695.
doi:10.7498/aps.33.694
摘要 +
利用X射线形貌术方法研究了含氢硅单晶中氢致缺陷的分布。将原生晶棒从内部切开,观察到在切口暴露表面附近,热处理后产生的氢致缺陷的密度与尺寸与内部未暴露部分相同,而不同于薄片退火的情况,对此结果作了简要的讨论。
1984, 33 (5): 696-700.
doi:10.7498/aps.33.696
摘要 +
本文利用电子衍射及高分辨点阵象实验方法证实了Ni3(Tix,V1-x)合金系在铸态下存在有9R,10H,16H,20H,21H,44H等长周期结构以及2H结构。它们与体心四方基体相(结构与Ni3V相同)及六角基体相(结构与Ni3Ti相同)有固定取向关系:{001}长周期∥{001}(Ni3Ti)∥{112}Ni3V);〈100〉长周期∥〈100〉(Ni3Ti)∥〈110〉(Ni3V)。样品经长期高温退火处理后其它长周期结构均向9R结构转变。
1984, 33 (5): 701-705.
doi:10.7498/aps.33.701
摘要 +
目前,制造高密度磁带的磁记录材料——金属磁粉,已被认为是较理想的材料。但是,这种磁粉有一些主要问题需要解决,才能制成实用的磁带,其中存在的主要问题是金属磁粉在空气中化学稳定性不好以及在磁浆中不易分散。所以研究金属磁粉化学稳定性不好的产生原因及解决办法是它能否实用的主要问题。我们利用穆斯堡尔效应并配合其它一些实验手段研究了金属磁粉的化学稳定性不好的原因及防护的方法。为在我国制成能实用的金属磁粉提供了科学数据。
1984, 33 (5): 706-709.
doi:10.7498/aps.33.706
摘要 +
本文报道光通过LiKSO4单晶体产生的有规律性的衍射现象,衍射环和衍射带。观察了不同实验条件对衍射现象的影响,可以肯定这些现象是波矢k垂直于c轴的体位相光栅所产生。伴随衍射环内外各出现副环的来源尚未能理解。
1984, 33 (5): 710-713.
doi:10.7498/aps.33.710
摘要 +
我们用偏光显微镜观察到c向电场作用下α-碘酸锂晶体中产生的离子输运经过的纤维状细直通道及其发展过程,为离子管道电导模型提供了有力的证据。同时,我们观察到碘酸锂透射光偏振态的90°变化仅发生于该通道附近的现象,可以肯定这些大量的管道构成了产生90°变偏振的广角衍射带的光栅。
1984, 33 (5): 714-717.
doi:10.7498/aps.33.714
摘要 +
用直流吸气溅射法在液氮冷底板上分别制备了MoxGe1-x,MoxSi1-x的薄膜。其形成非晶的成份分别为Ge>22at%,Si>18at％。超导转变临界温度Tc在非晶状态下随着Ge,Si的含量增加而下降(约6—3K)。非晶Mo77Ge23膜的晶化温度为780℃,而非晶Mo78Si22膜的晶化温度为480℃。
1984, 33 (5): 718-721.
doi:10.7498/aps.33.718
摘要 +
在此简讯中,我们用类似力学中处理单摆问题的方法,对一个简单模型导出了无公度相的多谐调制解。它在高温端退化为单谐调制;它在低温端转化为扭折解。它的基波波矢随温度而单调地下降,与实验观察到的现象一致。
1984, 33 (5): 722-728.
doi:10.7498/aps.33.722
摘要 +
本文提出一种解小Knudsen数的Boltzmann方程的方法,它可以消去Hilbert展开和Enskog展开中的久期项改进正规解,消去Grad展开中的久期项改进初始层解,并把求边界层解归结为求解线性代数方程组。