Vol. 25, No. 2 (1976)
1976年01月20日
目录
1976, 25 (2): 97-104.
doi:10.7498/aps.25.97
摘要 +
在实验中观察到半波长约瑟夫森隧道结微波感应阶梯高度随微波电压振幅近似地按贝塞耳函数的二次方变化,并且奇数号码阶梯有时不出现,对于上述现象本文做了理论解释。
1976, 25 (2): 105-114.
doi:10.7498/aps.25.105
摘要 +
本文利用一致畴转模型分析了在交直流叠加磁化下恒导磁薄片的低频涡流损耗。指出涡流损耗的反常不仅壁移,而且同样存在于畴转。其原因是畴转过程中畴内磁导率是张量,从而比经典模型增加了一项“侧向涡流”。导出了转动涡流损耗反常系数ηr的表达式;并将结果在某些应用领域中作了推广,得出了相应的结论。
1976, 25 (2): 115-121.
doi:10.7498/aps.25.115
摘要 +
本文研究了经过纵向磁退火的铁镍钴合金带的铁心损耗,发现P/f-f曲线具有明显的反常行为。用180°畴壁移的反常涡流损耗理论模型做了解释。并提出一些减小损耗的可能途径。
1976, 25 (2): 124-128.
doi:10.7498/aps.25.124
摘要 +
研究了一种处理大运动模糊图象的非相干光方法:利用光密度严格“互补”的正、负片,直接对图象微分,以获取处理象。既可处理平动模糊图象,又可处理用目前相干光方法难以处理的转动模糊图象。
1976, 25 (2): 129-134.
doi:10.7498/aps.25.129
摘要 +
在以前工作的基础上,继续作了以下的实验:(1)在低温条件下测定了α-碘酸锂单晶在静电场中的衍射情况,观察到在～180K以下出现“冻结”现象,即加上电场并不能使衍射增强,撤去原在室温所加的电场后衍射强度也并不减弱;(2)用狭束中子探测了加静电场后晶体的不同部位,观察到衍射增强是体效应而不是表面层效应;(3)测定了低频交变电场对晶体中子衍射强度的影响,衍射束增强的程度随频率的下降而加大,频率在1500Hz时衍射束的增强已不明显。
1976, 25 (2): 135-145.
doi:10.7498/aps.25.135
摘要 +
本文给出了高级脉冲近似和广义的Watson展开,从而把N体散射过程分解为局部过程。讨论了出射道和截面公式。并考虑了全同粒子系的情况。
1976, 25 (2): 146-161.
doi:10.7498/aps.25.146
摘要 +
本文对钙钛矿型晶体的电光及倍频效应的机理提出了一个(MO6)离子基团模型。并从(TiO6)离子基团的准分子轨道及晶格场位能作用下的(TiO6)离子基团的离子键轨道出发,利用ABDP理论,分别计算了BaTiO3的各个电光及倍频系数。计算结果表明,在没有引入任何可调整参量的情况下,用(TiO6)离子基团的晶格场理论所得到的电光及倍频系数的计算值和实验值符合得相当好,而准分子轨道对这些效应的贡献很小。由