Vol. 22, No. 9 (1966)
1966年05月05日
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1966, 22 (9): 967-975.
doi:10.7498/aps.22.967
摘要 +
应用范德保法测量了电阻率在10-3—102欧姆·厘米范围的n型和p型碳化硅单晶和外延层的电学性质。进行了测定条件的选择,范德保法与普通法的对照等试验。发现接触电阻的大小和稳定程度对测量结果有极大的影响。在铟、紫铜、锡、磷铜等机械接触中,铟电极具有最低的接触电阻,其他电极须经电冶成方能进行测定。在不同的电极材料和样品电流下,电阻率偏离约2%,指出,样品电流应当根据具体样品的电阻率和接触电阻加以选择。与普通法比较,范德保法精确度高,数据重复性好。测量了自室温至1000°K范围内碳化硅单晶的高温电学性质,求得氮施主的电离能为0.056电子伏。讨论了引起实验误差的一些异常现象及其产生原因。
1966, 22 (9): 976-981.
doi:10.7498/aps.22.976
摘要 +
本文介绍一种测量碳化硅半导体少数载流子寿命的方法,叙述有关的原理和测试设备,并就对测试结果有极大影响的谐振干扰、点接触的电学性质和电发光特性等问题进行了试验。提出了若干可以避兔谐振干扰、防止触点旁路并控制整流比的有效措施。推荐采用焊铟方法制备低阻接触。指出,为了保证实验结果的可靠性,测试前必须了解样品的发光特性。采用这种方法测定了若干碳化硅单晶的少数载流子寿命,测得值一般低于4.2×10-9秒。
1966, 22 (9): 982-1003.
doi:10.7498/aps.22.982
摘要 +
本文利用基本反射光谱资料,导出了二十多种金刚石型和闪锌矿型半导体的导带结构。指出了导带结构上的一些特征及其与元素周期表之间的联系。着重分析了反对称势对能带结构的影响,并找到了闪锌矿型和金刚石型半导体能带结构之间的内在联系,从而更好地说明了各个闪锌矿型半导体能带结构上的特殊性。
1966, 22 (9): 1004-1010.
doi:10.7498/aps.22.1004
摘要 +
本文用X射线粉末法,测定了Mn3Ga的晶体结构。Mn3Ga属六角晶系。26.8at.%Ga的合金在20℃的点阵常数是:a=5.4065?,c=4.3537?,c/a=0.8053。空间群为D6h4-P63/mmc。每个单胞含两个化合式量,其中6个Mn原子占据6(h)的位置,原子参数xh=0.837,2个Ga原子占据2(c)的位置。这是一个畸变型的DO19有序密堆积超结构。Mn-Ga采内相当于这个结构的均匀范围并不包括理想成分在内,而偏移在富Ga的一边。
1966, 22 (9): 1011-1026.
doi:10.7498/aps.22.1011
摘要 +
本文提出了一个借助无规位相近似法的解,应用推广的组态混合法以求得更精确解的方法,导出了有关矩阵元的一组明显表达式。此外并证明了推广的组态混合法是自洽的,给出了有关的格林函数所满足的运动方程及展开式,根据后者对推广的组态混合法的解的性质进行了讨论。
1966, 22 (9): 1027-1031.
doi:10.7498/aps.22.1027
摘要 +
本文提出了一个中间玻色子理论,把弱作用中宇称、同位旋和奇异数的不守恒都归之于中间玻色子的特殊性质(破缺性质)。这个理论统一描述了轻子型和非轻子型蜕变过程。当应用于轻子型蜕变,可以得到Cabibbo理论,并且给他的“单位长度”假设以自然的解释(几率归一条件)。当应用于非轻子型蜕变,可以得到|△I|=1/2等规律。
1966, 22 (9): 1032-1037.
doi:10.7498/aps.22.1032
摘要 +
本文用中间玻色子理论,讨论了超子的非轻子衰变,考虑了各种衰变机构,解释了FMS极点,建立了李氏和则的更广泛的动力学基础,并求得了和实验大致相符的衰变率和不对称系数。
1966, 22 (9): 1038-1045.
doi:10.7498/aps.22.1038
摘要 +
本文给出了在原点附近高度寄异、在无穷远的行为比任何指数下降更快的位势,其分波S矩阵元对能量的一个表示式。
1966, 22 (9): 1046-1058.
doi:10.7498/aps.22.1046
摘要 +
对于满足文献的条件的高度奇异位势,证明了当角动量变数λ的虚部趋于无穷大时,其分波S矩阵元具有渐近行为s(λ,k)～Ce~(-xImλ),从而对于高度奇异位势我们有下列结论:(1)散射幅的Watson-Sommerfeld变换是不成立的。(2)结合文献的结果,进而知道在虚轴的小角邻域内存在着实部趋于无穷大的Regge极点。
1966, 22 (9): 1059-1068.
doi:10.7498/aps.22.1059
摘要 +
本文研究了Po奇A同位素α约化宽度的相对趋势和绝对值对核模型波函数和半径R0的关系,利用了单组态波函数、BCS波函数、不考虑阻塞效应的投影波函数(简称不阻塞PBCS)和考虑阻塞效应的投影波函数(简称阻塞PBCS)等四种波函数进行了计算,半径R0的范围从8f—9.5f。计算结果表明,单组态和BCS的结果不好,不阻塞PBCS最好,阻塞PBCS其次。Po211的α约化宽度和邻近的偶A同位素Po210的α约化宽度之比和R0关系不大,在20%的范围内和实验值一致。取半径R0=8f左右,利用不阻塞PBCS波函数,可使α约化宽度随A变化的相对趋势及绝对值大小与实验结果有良好的符合。
1966, 22 (9): 1069-1076.
doi:10.7498/aps.22.1069
摘要 +
本文尝试用四端网络法研究非互易微波铁氧体器件。首先,把一节含着一根铁氧体杆的三厘米波段的矩形波导看作四端网络,进行阻抗和散射系数的测量。由测得的散射矩阵求出了T形等效线路,结果表明,小直径铁氧体杆具有并联容性电纳的性质,电纳的数值随外磁场的变化范围很大,与可调螺钉的作用十分相似。其次,把两根铁氧体杆沿波导纵向排列,在实验中考察了这种相继阻碍物的等效线路,结果表示,只要相邻阻碍物的距离足够大,总的等效线路可用“单元”等效线路的串联表示。最后,以分析相移网络为例,说明了等效线路的应用。用这一方法研究波导中的多体散射,具有独特的优点。
1966, 22 (9): 1077-1097.
doi:10.7498/aps.22.1077
摘要 +
用化学侵蚀法研究了在机械应力和热应力作用下硅中位错的增殖和非均匀成核。结果表明,在使位错增殖和成核作用上,热应力同机械应力是等效的。硅中小角晶界中的位错,原生孤立位错都能成为位错源;晶体内部的缺陷及表面蚀斑处的应力集中能够引起位错成核;硅中螺型位错能够通过交叉滑移机制发生增殖。对新生位错环空间分布的研究表明,Frank-Read机制可能是位错增殖的主要形式。位错能否发生增殖,主要决定于位错源所受分切应力的数值、晶体温度、位错本身的结构特点以及钉扎情况等。