Vol. 22, No. 3 (1966)
1966年02月05日
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1966, 22 (3): 257-269.
doi:10.7498/aps.22.257
摘要 +
本文研究了在电子显微镜的照明电子束作用下,铝镁合金中位错运动与交互作用的行为。螺型位错往往单个运动,并且很容易改变运动方向,产生多次双交叉滑移。滑移和交滑移首先在与膜面接近45°的{111}面上进行,位错的柏氏矢量为接近膜面的α/2,这是与照明电子束所产生的应力与膜面平行一事相符的。运动着的位错可以通过其应变场激活近邻的位错,使之发生运动;亦可能受到其它位错的排斥作用而受阻或改变运动方向。
1966, 22 (3): 270-280.
doi:10.7498/aps.22.270
摘要 +
用低频扭摆测量了经过轻度冷加工的Al-0.l％Mg合金在室温时效过程中的内耗变化,观察到表现反常振幅效应的时效内耗峯。用经过充分时效而内耗已达到稳定值的试样进行升温和降温内耗测量,也在30—55℃的温度范围内观察到表现反常振幅效应的温度内耗峯。这些现象在高纯铝试样和经过完全退火的Al-0.l％Mg合金试样中都不出现。在Al-0.l％Mg合金中也能观察到以前在Al-0.5％Cu合金中所观察到的反常内耗现象,这就排斥了任何用在点阵中所发生的一般脱溶沉淀过程来解释这种反常内耗现象的可能性,困为在含0.1％Mg的铝合金中,在实验测量所涉及的温度范围内,是不能够在点阵中发生一般的脱溶沉淀过程的。为了解释铝镁合金中所呈现的反常内耗现象的特点,可以假设在铝镁合金中能够形成两种位错气团:一种是“镁原子-空位”对与位错所组成的气团,这种气团能够在应变时效过程中形成;另一种气团是镁原子与位错所组成的气团,当经过范性形变的试样的温度升高到100℃左右时,镁原子与空位脱离,在退火过程中就单独与位错形成气团。前一种气团对于位错的钉札较第二种为强,因而它的振幅内耗峯出现在较高的振幅值。
1966, 22 (3): 281-293.
doi:10.7498/aps.22.281
摘要 +
将金属视为一各向同性的、无限大的、均匀的连续弹性介质,利用弹性偶极子的概念,计算了在体心立方金属Fe,W,Mo,Ta,Nb中,间隙杂质原子C,N,O,H在四面体及八面体位置上的位置能。计算结果表明,除了H在W,Mo,Ta,Nb中是占据四面体位置外,其余的情况都是占据八面体位置,并求得了判定间隙原子是处在四面体抑八面体位置的临界半径。后一部分计算了间隙原子在八面体位置间扩散的激活能。所得的结论都与前人的实验结果较好地接近。
1966, 22 (3): 294-303.
doi:10.7498/aps.22.294
摘要 +
利用前文的结果,计算了在各种相对组态下间隙原子对间的相互作用能,与前人的理论及实验工作很好地符合。并由此设计了各种数目的间隙原子集团的稳定组态。后一部分利用所得的结果并仿照Cowley对置换式固溶体有序-无序相交给出的理论,研究了体心立方金属中间隙原子的有序-无序相变问题,并求得了O在Ta及Nb中相变的居里点,与实验结果相合。
1966, 22 (3): 304-309.
doi:10.7498/aps.22.304
摘要 +
本文研究了横向磁场对Ge表面交流场效应的影响,提出了与其他作者不同的解释。根据我们的实验结果,可以认为磁场对场效应的影响主要是由于磁浓缩效应引起了样品电导的附加变化,而不是由于霍耳电压改变了表面势垒。并且指出利用这个实验来决定表面复合速度与表面势垒关系的可能性。
1966, 22 (3): 310-317.
doi:10.7498/aps.22.310
摘要 +
用区域致匀方法获得了AlSb-GaSb-InSb体系中均匀的合金。用X射线结构分析(粉末法)及差热分析研究了均匀化的样品。结果表明,在上述体系中有连续固溶体生成。确定了AlSb-GaSb-InSb体系液相面的投影图及AlSb·GaSb-InSb截面上组成与晶格参数间的关系,并比较了组成不同的合金在空气中的稳定性。
1966, 22 (3): 318-324.
doi:10.7498/aps.22.318
摘要 +
本文用单能级复合中心模型,分析了半导体中正弦式注入下过剩载流子的相移寿命与复合中心参数的关系,由此得出了相移寿命与稳态寿命和瞬态寿命的异同:(1)相移寿命与注入频率有关,随频率的增高而减小。(2)低频注入下电子空穴相移寿命相同,并等于瞬态寿命。文中同时讨论了低频注入的条件。
1966, 22 (3): 325-333.
doi:10.7498/aps.22.325
摘要 +
本文讨论了经过減除的π-核子散射色散关系和通常拉格朗日描述及其重整化处理间的关系。指出一次減除可以解释为作用常数的重整化。我们用经过減除的色散关系处理了π-核子S波散射。计算结果指出,π介子和核子间的相互作用应该是赝矢型而不是赝标型的。
1966, 22 (3): 334-340.
doi:10.7498/aps.22.334
摘要 +
本文提出了反常作用的μ荷观点,μ荷不仅是一种反映μ-e禁戒性的量子数,而且是反常作用的承担者。在此观点下,讨论了轻子结构和μ-e质量差,得到了关于轻子结构的一些普遍定理。例如,证明了电子的反常作用和电磁作用形状因子相同等。在讨论轻子结构的基础上,得到了将μ-e质量差和轻子的电磁结构相联系的公式,证明了主要由于电磁作用干涉产生的μ荷-μ矩作用是反常作用自能的主要部分,它是负值,故是电子参与反常作用。利用电子的电磁结构数据能合理地解释μ-e质量差,而后者也提供了有关电子电磁结构的进一步知识。
1966, 22 (3): 341-359.
doi:10.7498/aps.22.341
摘要 +
本文对In+2％Sn,In+3％Sn的不同厚度合金膜的临界场Hc进行了研究,从实验上第一次提供了电子平均自由程l≠∞时的Hc～d的数据。这些实验结果表明,关于超导膜临界场问题只能用非线性非定域理论描述,在薄膜极限下,不论纯膜或合金膜,Hc∝d-3/2;定域的London,Г-Л理论和线性非定域的Ittner理论皆不适用。一部分文献中给出Hc∝d-1的结论,是由于那些作者分析实验结果的方法不恰当所致。
1966, 22 (3): 360-370.
doi:10.7498/aps.22.360
摘要 +
由于交换作用常数受到磁离子间距离变化的影响是不可忽略的,在磁有序物质中存在自旋波和声子的耦合作用。本文探讨了非金属反铁磁体中自旋波-声子耦合在红外吸收谱上可能有的表现,辐射场的电偶极矩作用在激发一个光频支声子的同时,通过自旋波-声子耦合又激发两个自旋波和一个声子,这就在晶格吸收谱的高频边缘以外形成附加吸收带。当反铁磁体的Néel点足够高,并且自施波态密度有尖锐的极大值时,附加吸收带就有超出晶格吸收边缘足够大的能量,且有明显的峯形,上述吸收峯就应在实验上观测到。把这一结果应用于NiO,解释了它的红外光谱中0.24电子伏的附加吸收峯,计算得到与实验相符合的吸收能量和吸收强度,并指出这一吸收机构只能在反铁磁体中而不能在铁磁体中发生。本文最后指出,Mizuno和Koide在企图解释同一现象的工作中,所探讨者相对于本文所考虑的跃迁机构,它只可能产生极其次要的贡献。