Vol. 18, No. 9 (1962)
1962年05月05日
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1962, 18 (9): 435-442.
doi:10.7498/aps.18.435
摘要 +
本文在Haas-Calln所提出的,由于从一个离子到另一个离子的自旋-轨道互作用的变化而引起的铁磁子散射的机构的基础上,考虑了含少量钴的正型尖晶石型铁氧体或Fe3O4内,磁场热处理对铁磁共振线宽的影响。由于钴离子在八面体位上有了择优分布,对共振线宽的贡献除了各向同性的部分外,还出现了一各向导性的部分,后者是热处理时所加磁场的方向及M的方向的函数。每百分之一的钴在正型铁氧体中所导致的最大与最小的线宽间的差值约为4奥。
1962, 18 (9): 443-448.
doi:10.7498/aps.18.443
摘要 +
本文计算了μ-介子和原子核Li6在不同超精细结构状态上,μ-+Li6→He6+ν的跃迁几率。指出在5％的误差范围以内,在两种超精细结构状态上俘获几率的比值和原子核矩阵元无关。
1962, 18 (9): 449-466.
doi:10.7498/aps.18.449
摘要 +
在本文中,作者提出了与线形天线阵辐射图形中零点相对应的复量多项式的根在复数面中单位圆上的一个分布函数,它比作者在前一篇论文中所提出的分布函数有更普遍的意义。这个普遍函数是:ψK=ψ0{1+ξK((ln(ψm/ψ0-1)-lnξ)/(ln m))}.当ψ0和ξ被适当地选择时,这个普遍函数所代表的天线阵将包括以下各式天线阵作为特例:(1)均匀横射式天线阵;(2)均匀端射式天线阵;(3)谢昆诺夫天线阵;(4)道尔夫-捷比谢夫天线阵当阵中单元数不超过7时。但是,应用所提出的分布函数并当合理地选择ψ0和ξ时,却可以改善以上各式天线阵,尤其在压小主瓣附近的旁瓣方面。这一情况是具有重大实用意义的。此外,因为天线阵中各单元的场强或其方向图中的旁瓣一般都随着离开主瓣的角距的增加而下降的,所以为了使天线阵的总方向图有均等或接近均等的小的旁瓣(这是具有实用意义的),就必须设计一个由均匀辐射器所组成的天线阵,它有随着离开主瓣的角距的增加而上升的小的旁瓣。利用谢昆诺夫的分布或道尔夫-捷比谢夫的分布都不能达到此目的,但是应用所提出的分布函数却可以办到。计算结果证实了上述各点。在本文中,作者还将代表各式天线阵的多项式的乘积形式加以展开,从而将其中的系数化为显式以便于阵中各单元上相对电流的计算。
1962, 18 (9): 467-470.
doi:10.7498/aps.18.467
摘要 +
利用核-3乳胶测量了热中子引起U235及Pu239裂变中子能谱。结果如下:(1)Pu239裂变中子能谱显著地较U235裂变中子能谱为硬。其平均能量分别为:EPu=1.989±0.024兆电子伏;EU=1.867±0.015兆电子伏。(2)在2-3兆电子伏区域,发现有一个曲折,表明可能存在着能谱上的某种“结构”现象。
1962, 18 (9): 471-482.
doi:10.7498/aps.18.471
摘要 +
本文提出了三种可能的物理因素,企图解释热中子对U235,Pu239的裂变中子谱中,在2-3兆电子伏附近出现的结构现象。首先讨论了核温度分布可能产生的影响,结果表明,连续的核温度分布是不会在能谱上出现有结构现象的;而在两个孤立的核温度情况,发现要在相当不合理的温度比,即T1/T2 ≥3 时才会在能谱上出现有结构现象。其次,考虑到在能谱的“蒸发”公式中应该用光学模型的吸收截面。在裂变的情况下,光学模型吸收截面在轻重碎片不同的能量位置出现巨共振,计算结果表明,目前裂变中子谱中2-3兆电于伏出现的结构现象,很可能是重碎片吸收截面中d波巨共振所引起。在考虑了一定的核温度分布以后,用光学模型吸收截面所计算的裂变中子谱在结构的大小和位置上,和实验符合得很好。再其次,我们考虑了中子从碎片中发射可能存在各向异性,发现它也可能在裂变中子谱上出现一定的结构现象,但是很为微弱。最后,作者提出了进一步澄清这些物理因素可能做的一些实验。