\begin{document}$\Delta \varepsilon $\end{document}\begin{document}$ - 1.1$\end{document}\begin{document}$ - 11.5$\end{document}之间的7种向列相液晶材料, 通过施加线性增加的交流电场, 研究了负性向列相液晶电致脐点缺陷产生到湮灭过程中材料特性(\begin{document}$\Delta \varepsilon $\end{document})和外界条件(温度、外加电场参数)对脐点缺陷的标度规律及湮灭快慢的影响. 结果表明: 在不同的\begin{document}$\Delta \varepsilon $\end{document}、温度和电场频率下, 缺陷产生过程均满足Kibble-Zurek机制, 即缺陷密度与电场变化率之间存在标度关系, 且标度指数约为\begin{document}$1/2$\end{document}; 温度越高, 产生缺陷密度越大; \begin{document}$\Delta \varepsilon $\end{document}越强或电场变化越快, 缺陷湮灭速度越快. 本文的研究厘清了拓扑缺陷产生湮灭与材料特性和外界条件的依赖关系, 有利于对软物质中拓扑缺陷动态过程的认识和理解."> - 必威体育下载

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    王紫凌, 叶家耀, 黄志军, 宋振鹏, 李炳祥, 肖瑞林, 陆延青

    Formation and annihilation of electrically driven defects in nematic liquid crystals with negative dielectric anisotropy

    Wang Zi-Ling, Ye Jia-Yao, Huang Zhi-Jun, Song Zhen-Peng, Li Bing-Xiang, Xiao Rui-Lin, Lu Yan-Qing
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    出版历程
    • 收稿日期:2023-10-17
    • 修回日期:2023-11-24
    • 上网日期:2023-12-05
    • 刊出日期:2024-03-05

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