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摘要

通过引入1 nm铝作为插入层, 研究了铝在调制镍与n型锗反应时对镍化锗与n型锗接触的肖特基势垒高度的影响. 采用正向 I- V法、Cheung 法和 Norde 法分别提取了镍化锗与n型锗接触的肖特基二极管的串联电阻、势垒高度和理想因子. 研究表明, 在镍和锗衬底之间引入1 nm铝插入层, 能够有效降低势垒高度, 且其能够在 350 ℃—450 ℃ 保持稳定.

关键词:

铝/
肖特基势垒/
锗/
镍

NiGe/n-Ge Schottky barrier height is modulated by Ni/n-Ge reaction with 1 nm Al as an intermediate layer. The series resistance, barrier height and ideal factor of Schottky diodes are extracted by the forward I- Vmethod, Cheung method and Norde method, respectively. Comparing with Ni/n-Ge SBD, the introduction of 1 nm Al insertion layer between Ni and Ge substrates can effectively reduce the barrier height and maintain stability between 350 ℃ and 450 ℃.

Keywords:

作者及机构信息

通信作者:张波,bozhang@mail.sim.ac.cn

基金项目:国家自然科学基金(批准号: 62074152)资助的课题.

Authors and contacts

Corresponding author:Zhang Bo,bozhang@mail.sim.ac.cn

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 62074152).

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参考文献

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施引文献

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样品		肖特基势垒高度 ${\phi }_{\mathrm{B} }$/eV			理想因子 $ n $		串联电阻R_S/Ω
样品		正向I-V法	Cheung法	Norde法	Cheung法	正向I-V法	Cheung法	Norde法
350 ℃	Ni/n-Ge	0.38	0.35	0.48	1.06	1.41	43.43	44.52
350 ℃	Ni/Al/n-Ge	0.35	0.23	0.39	1.55	1.3	211.58	367.23
400 ℃	Ni/n-Ge	0.38	0.33	0.46	1.07	1.04	39.42	46.86
400 ℃	Ni/Al/n-Ge	0.35	0.25	0.39	1.34	0.85	138.58	122.67
450 ℃	Ni/n-Ge	0.36	0.3	0.42	1.13	0.92	78.71	110.72
450 ℃	Ni/Al/n-Ge	0.32	0.17	0.34	1.81	1.54	252.07	150.56

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