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摘要

采用磁控溅射方法制备了Ge ₅₀Te ₅₀/Zn ₁₅Sb ₈₅纳米复合多层薄膜. 研究了薄膜的电阻随温度的变化以及薄膜的晶化激活能. 通过透射电子显微镜比较了晶化前后Ge ₅₀Te ₅₀/Zn ₁₅Sb ₈₅纳米复合多层薄膜的截面多层结构. 制备了基于[GT(7nm)/ZS(3nm)] ₅多层复合薄膜的相变存储器件, 并测试了其电性能. 研究表明, Ge ₅₀Te ₅₀/Zn ₁₅Sb ₈₅纳米复合多层薄膜具有较好的非晶态热稳定性和数据保持力, 其器件具有较快的转变速度、较低的操作功耗和较好的循环性能. Ge ₅₀Te ₅₀/Zn ₁₅Sb ₈₅纳米复合多层薄膜是一种潜在的高热稳定性和低功耗的相变存储材料.

关键词:

Abstract

The Ge ₅₀Te ₅₀/Zn ₁₅Sb ₈₅nanocomposite multilayer films are prepared by the magnetron sputtering. The variation of resistance with temperature and with crystallization activation energy is studied. The multilayer structure of the section before and after the crystallization for Ge ₅₀Te ₅₀/Zn ₁₅Sb ₈₅nanocomposite multilayer film is compared by transmission electron microscope. The phase change memory device based on [GT(7nm)/ZS(3nm)] ₅is manufactured, and the electrical performance is measured. The fast switching speed, low operating power consumption, and good cycling performance are achieved for Ge ₅₀Te ₅₀/Zn ₁₅Sb ₈₅. Ge ₅₀Te ₅₀/Zn ₁₅Sb ₈₅, which is a kind of nanocomposite multilayer film, a promising phase change storage material with high thermal stability and low power consumption.

Keywords:

作者及机构信息

通信作者:胡益丰,hyf@jsut.edu.cn

基金项目:国家级-国家自然科学基金(11974008)

Authors and contacts

Corresponding author:Hu Yi-Feng,hyf@jsut.edu.cn

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