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摘要

铁电材料的研究有近百年的历史, 而铁电畴的存在是铁电材料最基本的微观结构特征. 随着材料制备和表征技术的发展, 铁电畴的排列组合方式对材料性能的影响越来越凸显. 而近年来的研究显示, 铁电畴及畴壁甚至能够作为各种微纳电子器件的独立功能单元, 在信息存储、能量转换、机电驱动、量子计算等领域有着广泛的应用潜力. 本文从铁电畴结构的群论推导开始, 介绍了铁电畴的形成、结构到宏观力学谱和电学性能, 以及利用压电力显微镜研究铁电开关、铁电畴微观特征的相关历程及现状.

关键词:

Abstract

Ferroelectric materials with domains being the basic microstructures, have been investigated for about 100 years. With the development of the material fabrication method and the characterization technique, the important influence of domain configuration on the physical properties of ferroelectrics becomes more and more prominent. Recent researches even reveal that the domains and domain walls can act as individual functional units of micro-nano electronic devices, possessing wide potentials in the areas of information storage, energy transformation, electro-mechanical drive, quantum computation, etc. In this paper, starting from group theory analysis of domain structures, we introduce first the formation and the structures of ferroelectric domains, and then the macroscopic mechanical spectra as well as the electrical properties of the ferroelectric materials. Finally, the recent research progress of polarization switching and domain characterization by piezoresponse force microscopy are also reviewed.

Keywords:

作者及机构信息

通信作者:朱劲松,jszhu@nju.edu.cn

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Corresponding author:Zhu Jin-Song,jszhu@nju.edu.cn

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序号	畴类型	陪集	陪集中的基本对称操作
1	V[001]	H=P4mm	1, 4⁺[001], 2[001], m[100], m[010], m[110], m[$1\bar 10$]
2	V[100]	3^–[$1{\bar 1}1$]H	3^–[$1{\bar 1}1$], 4⁺[010], 2[101], 3⁺[111], 3^–[$\bar 1\bar 11$], 3^–[$\bar 1\bar 11$], m[$\bar 1 01$], $\bar 4$^–[010]
3	V[010]	2[011]H	2[011], 3^–[111], 3⁺[$\bar 111$], 4^–[100], m[$0{\bar 1}1$], $\bar 4$⁺[100], 3⁺[$1{\bar 1}1$], 3^–[$\bar1{\bar 1}1$]
4	V[$\bar 100$]	2[${\bar 1}01$]H	2[${\bar 1}01$], 3^–[${\bar 1}11$], 3⁺[${\bar 1}{\bar 1}1$], 4^–[010], $\bar 4$⁺[010], m[101], 3^–[$1{\bar 1}1$], 3⁺[111]
5	V[$0{\bar 1}0$]	3⁺[$1{\bar 1}1$]H	3⁺[$1{\bar 1}1$], 2[$0{\bar 1}1$], 4⁺[100], 3^–[${\bar 1}{\bar 1}1$], 3^–[111], 3⁺[$\bar 1 11$], m[011]
6	V[$00\bar 1$]	2[110]H	2[110], 2[100], 2[010], 2[$\bar 1 10$], 4⁺[001], 4^–[001], $\bar 1$, m[001]

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