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摘要

利用固源分子束外延设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料, 探讨了. 结果表明, As压调制的InAlAs超晶格能控制InAs量子线的形成, 导致高密度均匀分布的量子点的生长. 结果有利于进一步理解量子点形貌控制机理. 分析认为, InAs纳米结构的形貌主要由InAlAs层的各向异性应变分布和In吸附原子的各向异性扩散所决定.

关键词:

InAs/InAlAs/InP(001) nanostructure materials are grown using solid-source molecular beam epitaxy equipment. Effect of As pressure-modulated InAlAs superlattice on the morphology of InAs nanostructure is investigated. The results show that As pressure-modulated InAlAs superlattice can suppress the quantum wires formation and results in quantum dot growth with a uniform size distribution. The analysis indicates that the morphology of InAs nanostructure is caused mainly by the anisotropic strain relaxation of InAlAs layers and the anisotropic surface migration of In adatoms.

Keywords:

作者及机构信息

1.
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3.

基金项目:国家自然科学基金(批准号: 60990315), 河北省科学技术研究与发展指导(批准号: Z2010112)、河北省科技支撑计划(批准号: 10213936, 10213938)、河北省自然科学基金(批准号: E2012109001)、邯郸市科学技术研究与发展计划(批准号: 1121120069-5, 1121103183)和河北省邯郸学院博士科研启动经费项目(批准号: 2009002, 2010005, 2010007)资助的课题.

Authors and contacts

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3.

Funds:Project support by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60990315), the Hebei Province Department of Education Science and Research Project Found, China (Grant No. Z2010112), the Hebei Province Science and Technology Program of China (Grant Nos. 10213936, 10213938), the National Natural Science Foundation of Hebei Province, China (Grant No. E2012109001), the Handan Science and Technology Research and Development Project, China (Grant Nos. 1121120069-5, 1121103183) and the Doctor Foundation of the Handan College, China (Grant Nos. 2009002, 2010005, 2010007).

参考文献

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施引文献

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