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摘要

本文利用改进的米勒模型模拟了金属-铁电-绝缘体-基底结构铁电场效应晶体管在电离辐射环境下的铁电薄膜极化、界面电荷密度和电荷迁移率,最终得出在不同辐射总剂量和辐射剂量率下,铁电场效应晶体管的电容和漏源电流曲线. 计算结果表明,总剂量为10 Mrad时,对铁电场效应晶体管的漏源电流和电容影响甚微;总剂量为100 Mrad (1 rad = 102 Gy)时,对其有很明显的影响. 当辐射的剂量率发生变化时,铁电场效应晶体管的电流和电容也会发生改变. 模拟结果表明,铁电场效应晶体管有较强的抗辐射能力.

关键词:

总剂量/
剂量率/
电容/
漏源电流

Abstract

This article uses the Miller model to simulate the ferroelectric polarization of the metal-ferroelectrics-insulator-substrate (MFIS) structured ferroelectric field effect transistor (FeFET), interfacial charge concentration, and charge migration rate under ionizing radiation. The capacitance and source-drain current at different total dose and different dose rate are calculated. Results show that the total dose of 0.1 MGy changes slightly the source leakage current and capacitance of the FeFET, and the total dose of 1 MGy leads to a larger variation in these quantities. When the radiation dose rate is varied, the minimal changes in the drain-source current and capacitance are observed. These results suggest that FeFET has a relatively large radiation hardness.

Keywords:

作者及机构信息

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基金项目:国家自然科学基金(批准号:11172257,61176093)资助的课题.

Authors and contacts

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Funds:Project suppoted by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 11172257, 61176093).

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[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]

[1]	张林, 马林东, 杜林, 李艳波, 徐先峰, 黄鑫蓉.不同栅压下Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性仿真. 必威体育下载 , 2023, 72(13): 138501.doi:10.7498/aps.72.20230207
[2]	赵利利, 吴蒙蒙, 林文璐, 刘阳.二维系统研究中的无电极输运方法. 必威体育下载 , 2022, 71(12): 127303.doi:10.7498/aps.71.20220246
[3]	顾朝桥, 郭红霞, 潘霄宇, 雷志峰, 张凤祁, 张鸿, 琚安安, 柳奕天.不同应力下碳化硅场效应晶体管器件总剂量效应及退火特性. 必威体育下载 , 2021, 70(16): 166101.doi:10.7498/aps.70.20210515
[4]	董世剑, 郭红霞, 马武英, 吕玲, 潘霄宇, 雷志锋, 岳少忠, 郝蕊静, 琚安安, 钟向丽, 欧阳晓平.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电离辐照损伤机理及偏置相关性研究. 必威体育下载 , 2020, 69(7): 078501.doi:10.7498/aps.69.20191557
[5]	陈钱, 马英起, 陈睿, 朱翔, 李悦, 韩建伟.激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究. 必威体育下载 , 2019, 68(12): 124202.doi:10.7498/aps.68.20190237
[6]	李小龙, 陆妩, 王信, 郭旗, 何承发, 孙静, 于新, 刘默寒, 贾金成, 姚帅, 魏昕宇.典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估. 必威体育下载 , 2018, 67(9): 096101.doi:10.7498/aps.67.20180027
[7]	郝敏如, 胡辉勇, 廖晨光, 王斌, 赵小红, 康海燕, 苏汉, 张鹤鸣.射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响. 必威体育下载 , 2017, 66(7): 076101.doi:10.7498/aps.66.076101
[8]	郑齐文, 崔江维, 王汉宁, 周航, 余徳昭, 魏莹, 苏丹丹.超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应. 必威体育下载 , 2016, 65(7): 076102.doi:10.7498/aps.65.076102
[9]	商怀超, 刘红侠, 卓青青.低剂量率60Co γ 射线辐照下SOI MOS器件的退化机理. 必威体育下载 , 2012, 61(24): 246101.doi:10.7498/aps.61.246101
[10]	宋德华, 吕梦菲, 任翔, 李萌萌, 俎云霄.忆阻电路的基本性质及其应用. 必威体育下载 , 2012, 61(11): 118101.doi:10.7498/aps.61.118101
[11]	范雪, 李威, 李平, 张斌, 谢小东, 王刚, 胡滨, 翟亚红.基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究. 必威体育下载 , 2012, 61(1): 016106.doi:10.7498/aps.61.016106
[12]	高博, 刘刚, 王立新, 韩郑生, 张彦飞, 王春林, 温景超.国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究. 必威体育下载 , 2012, 61(17): 176107.doi:10.7498/aps.61.176107
[13]	何宝平, 丁李利, 姚志斌, 肖志刚, 黄绍燕, 王祖军.超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟. 必威体育下载 , 2011, 60(5): 056105.doi:10.7498/aps.60.056105
[14]	胡子阳, 程晓曼, 吴仁磊, 王忠强, 侯庆传, 印寿根.基于垂直结构的有机光发射晶体管制备与性能研究. 必威体育下载 , 2010, 59(4): 2734-2738.doi:10.7498/aps.59.2734
[15]	何宝平, 姚志斌.互补金属氧化物半导体器件空间低剂量率辐射效应预估模型研究. 必威体育下载 , 2010, 59(3): 1985-1990.doi:10.7498/aps.59.1985
[16]	郑玉展, 陆妩, 任迪远, 王义元, 郭旗, 余学锋, 何承发.不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性. 必威体育下载 , 2009, 58(8): 5572-5577.doi:10.7498/aps.58.5572
[17]	何宝平, 郭红霞, 龚建成, 王桂珍, 罗尹虹, 李永宏.浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估. 必威体育下载 , 2004, 53(9): 3125-3129.doi:10.7498/aps.53.3125
[18]	何宝平, 王桂珍, 周辉, 龚建成, 罗尹虹, 姜景和.NMOS器件不同剂量率γ射线辐射响应的理论预估. 必威体育下载 , 2003, 52(1): 188-191.doi:10.7498/aps.52.188
[19]	张廷庆, 刘传洋, 刘家璐, 王剑屏, 黄智, 徐娜军, 何宝平, 彭宏论, 姚育娟.低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应. 必威体育下载 , 2001, 50(12): 2434-2438.doi:10.7498/aps.50.2434
[20]	胡仁宇.用小电离室测量镭所放出的γ射线的剂量率. 必威体育下载 , 1962, 18(10): 527-539.doi:10.7498/aps.18.527

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