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摘要

通过在重掺硼硅（p+-Si）衬底上溅射SnO2薄膜并在O2气氛下800 ℃热处理形成SnO2/p+-Si异质结. 基于该异质结的器件可在低电压（电流）驱动下电致发光. 进一步地，通过在SnO2薄膜上增加TiO2盖层，使器件的电致发光获得显著增强. 这是由于TiO2盖层的引入，一方面使SnO2薄膜更加致密，减少了非辐射复合中心；另一方面TiO2较大的折射率和合适的厚度使SnO2薄膜电致发光的出光效率得到提高.

关键词:

Abstract

Low-voltage (current) driven electroluminescence (EL) has been achieved in the light-emitting device (LED) with a SnO2/p+-Si heterostructure, which is formed by sputtering SnO2 film on a p+-Si substrate, followed by annealing at 800 ℃ in O2 ambient. Furthermore, by means of capping a TiO2 film onto the SnO2 film, the modified LED exhibits significantly enhanced EL. The densification of SnO2 film as a result of the TiO2-capping is responsible for reducing the non-radiative centers. Moreover, the large refractive index and appropriate thickness of TiO2-capped layer are favorable for the extraction of emitted light from SnO2 film. Such two effects of TiO2-capping contribute to the aforementioned enhanced EL.

Keywords:

作者及机构信息

1.

基金项目:国家自然科学基金（批准号：51372219和61176042）、国家重点基础研究发展计划（973计划）（批准号：2013CB632102）、浙江省自然科学基金（批准号：R4090055）和浙江省创新团队项目（批准号：2009R50005）资助的课题.

Authors and contacts

1.

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 51372219, 61176042), the National Basic Research Program of China (Grant No. 2013CB632102), the Natural Science Foundation of Zhejiang Province, China (Grant No. R4090055), and the Innovation Team Project of Zhejiang Province, China (Grant No. 2009R50005).

参考文献

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