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摘要

研究了Ni/HfO2（10 nm）/Pt存储单元的阻变特性和机理. 该器件具有forming-free 的性质，还表现出与以往HfO2（3 nm）基器件不同的复杂的非极性阻变特性，并且具有较大的存储窗口值（>105）. 存储单元的低阻态阻值不随单元面积改变，符合导电细丝阻变机理的特征. 采用X 射线光电子能谱仪分析器件处于低阻态时的阻变层HfO2薄膜的化学组分以及元素的化学态，结果表明，Ni/HfO2/Pt阻变存储器件处于低阻态时的导电细丝是由金属Ni导电细丝和氧空位导电细丝共同形成的.

关键词:

Abstract

Electric characteristics and resistive switching mechanism of Ni/HfO2/Pt cell are investigated. The cell has a forming-free property and shows an abnormal non-polar switching behavior. A high ON/OFF resistance ratio (>105) is obtained. The resistance of the on-state is independent of cell size, which implies that a conductive filament is formed in HfO2 film. X-ray photoelectron spectroscopy is used to investigate the compositions and valences of Ni and Hf in HfO2 film for the on-state cell. The results show that there is a hybrid filament comprised of a Ni filament and an oxygen vacancy filament in the HfO2 film for the on-state.

Keywords:

作者及机构信息

庞华,
邓宁

1.

基金项目:国家高技术研究发展计划（批准号：2011AA010403）资助的课题.

Authors and contacts

Pang Hua,
Deng Ning

1.

Funds:Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2011AA010403).

参考文献

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