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摘要

采用第一性原理的计算方法，研究了全部由轻元素构成的半Heusler型NaAlGe合金中，掺杂元素对合金拓扑能带结构的影响. 发现利用同族的Cs元素掺杂替换Na元素，能够诱导Na1-xCsxAlGe合金的能带结构由原本正常带序（0 x 0.125）转换为反转带序（0.125 x 1）. 基于对这一现象的深入讨论，我们提出在几乎没有自旋-轨道耦合作用的材料中，掺杂元素（Cs）是通过其离子半径的不同，进而影响晶格参数变化导致另外两种近邻原子间杂化作用发生变化，来诱导拓扑反带结构形成的.

关键词:

Abstract

The influences of doping whit congeners on the band topology in half Heusler-type of NaAlGe alloys are investigated using the first-principles calculations. It is found that the Na1-xCsxAlGe alloys with a normal band order are converted into topological nontrivial phases when x is up to 0.125. We argue that it is the degree of hybridization between Al and Ge determine the band order at the Fermi level. The Na or Cs only plays a role of the valence electron contributor and influences the lattice parameter.

Keywords:

作者及机构信息

1.
2.
3.

基金项目:国家自然科学基金（批准号：51271071，11074160）、教育部新世纪优秀人才支持计划（批准：NCET-10-0126）、河北省应用基础研究计划重点基础研究项目（批准号：12965136D）、河北省高校百名优秀创新人才支持计划和河南省科技攻关计划项目（批准号：102102210037）资助的课题.

Authors and contacts

1.
2.
3.

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 51271071, 11074160), the Ministry of Education Program for New Century Excellent Talents of China (Grant No. NCET-10-0126), 100 Excellent Innovative Talents Program of Hebei Province and Henan Province Science and Technology Research Project (Grant No. 102102210037).

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