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摘要

采用气源分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs束缚态向连续态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料, 基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫兹量子级联激光器. 测量了激光器的发射光谱和功率-电流-电压关系曲线, 研究了器件的激光特性. 器件激射频率约2.95 THz, 脉冲模式下, 最高工作温度为67 K. 连续波模式下, 阈值电流密度最低为230 A/cm2, 最大光输出功率1.2 mW, 最高工作温度为30 K.

关键词:

Abstract

The material of GaAs/AlGaAs bound-to-continuum terahertz quantum-cascade laser (THz QCL) was grown by gas source molecular beam epitaxy. A THz QCL device was fabricated with semi-insulating surface-plasmon waveguide. Its spectrum and light intensity-current-voltage characteristics were studied. The device emits about 2.95 THz, and yields a maximum temperature of 67 K in pulse mode. In continuous-wave mode, it displays a threshold current density of 230 A/cm2 at 9 K with maximum emitted power of 1.2 mW and lases up to 30 K.

Keywords:

作者及机构信息

1.

基金项目:国家高技术研究发展计划 (863计划) (批准号: 2011AA010205)、国家自然科学基金 (批准号: 61131006, 61021064)、国家重大科学仪器设备开发专项(批准号: 2011YQ150021)、国家科技重大专项 (批准号: 2011ZX02707)、中国科学院知识创新工程重要方向性项目(批准号: YYYJ-1123-1) 和上海市基础研究重点基金 (批准号: 10JC1417000)资助的课题.

Authors and contacts

1.

Funds:Project supported by the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2011AA010205), the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61131006, 61021064), the Major National Development Project of Scientific Instrument and Equipment, China (Grant No. 2011YQ150021), the National Science and Technology Major Project of the Ministry of Science and Technology of China (Grant No. 2011ZX02707), the Main Direction Program of Knowledge Innovation of Chinese Academy of Sciences (Grant No. YYYJ-1123-1), and the Shanghai Municipal Commission of Science and Technology, China (Grant No. 10JC1417000).

参考文献

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施引文献

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