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摘要

为明确深亚微米NMOS器件抗辐照能力以及研究其加固措施, 本文对0.18 μm窄沟NMOS晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究. 结果表明: 和宽沟器件不同, 阈值电压、跨导、漏源电导对总剂量辐照敏感, 此现象被称之为辐射感生窄沟道效应; 相比较栅氧化层, 器件隔离氧化层对总剂量辐照更敏感; 窄沟道NMOS器件阈值电压不仅和沟道耗尽区电荷有关, 寄生晶体管耗尽区电荷对其影响也不可忽略, 而辐照引起源漏之间寄生晶体管开启, 形成漏电通道, 正是导致漏电流、亚阈斜率等参数变化的原因.

关键词:

Abstract

This paper describes the total ionizing dose effect on 0.18 μm narrow-channel NMOS transistors which are exposed to a γ-ray radiation. Electrical parameters such as threshold voltage, leakage current, trans-conductance, drain-source conductance, and subthreshold slope extracted from the I-V curves are analyzed pre-and post-irradiation. Results show that the threshold voltage, the trans-conductance, and the drain-source conductance are sensitive to radiation compared to wide-channel NMOS transistors–the effect we call radiation induced narrow channel effect(RINCE). The amount of oxide-trapped charges and interface states which would degrade the threshold voltage and leakage current is induced in the STI oxide. The gate oxide is insensitive to irradiation. Combining the structure and process of devices, we finally discuss and analyze the above phenomenon in detail.

Keywords:

作者及机构信息

1.
2.
3.

基金项目:模拟集成电路国家重点实验室(NLAIC)基金(批准号: 9140C090402110C0906)资助的课题.

Authors and contacts

1.
2.
3.

Funds:Project supported by the Foundation of NLAIC (grant No. 9140C090402110C0906).

参考文献

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[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]

[1]	田金朋, 王硕培, 时东霞, 张广宇.垂直短沟道二硫化钼场效应晶体管. 必威体育下载 , 2022, 71(21): 218502.doi:10.7498/aps.71.20220738
[2]	张梦, 姚若河, 刘玉荣, 耿魁伟.短沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管的散粒噪声模型. 必威体育下载 , 2020, 69(17): 177102.doi:10.7498/aps.69.20200497
[3]	秦丽, 郭红霞, 张凤祁, 盛江坤, 欧阳晓平, 钟向丽, 丁李利, 罗尹虹, 张阳, 琚安安.铁电存储器60Co γ射线及电子总剂量效应研究. 必威体育下载 , 2018, 67(16): 166101.doi:10.7498/aps.67.20180829
[4]	赵启凤, 庄奕琪, 包军林, 胡为.基于1/f噪声的NPN晶体管辐照感生电荷的定量分离. 必威体育下载 , 2015, 64(13): 136104.doi:10.7498/aps.64.136104
[5]	刘红侠, 王志, 卓青青, 王倩琼.总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响. 必威体育下载 , 2014, 63(1): 016102.doi:10.7498/aps.63.016102
[6]	马武英, 王志宽, 陆妩, 席善斌, 郭旗, 何承发, 王信, 刘默寒, 姜柯.栅控横向PNP双极晶体管基极电流峰值展宽效应及电荷分离研究. 必威体育下载 , 2014, 63(11): 116101.doi:10.7498/aps.63.116101
[7]	宁冰旭, 胡志远, 张正选, 毕大炜, 黄辉祥, 戴若凡, 张彦伟, 邹世昌.总剂量辐照效应对窄沟道SOI NMOSFET器件的影响. 必威体育下载 , 2013, 62(7): 076104.doi:10.7498/aps.62.076104
[8]	孙鹏, 杜磊, 陈文豪, 何亮.基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型. 必威体育下载 , 2012, 61(6): 067801.doi:10.7498/aps.61.067801
[9]	赵赓, 程晓曼, 田海军, 杜博群, 梁晓宇, 吴峰.V2O5电极修饰对C60/Pentacene双层异质结场效应晶体管性能的影响. 必威体育下载 , 2012, 61(21): 218502.doi:10.7498/aps.61.218502
[10]	范雪, 李威, 李平, 张斌, 谢小东, 王刚, 胡滨, 翟亚红.基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究. 必威体育下载 , 2012, 61(1): 016106.doi:10.7498/aps.61.016106
[11]	席善斌, 陆妩, 任迪远, 周东, 文林, 孙静, 吴雪.栅控横向PNP双极晶体管辐照感生电荷的定量分离. 必威体育下载 , 2012, 61(23): 236103.doi:10.7498/aps.61.236103
[12]	席善斌, 陆妩, 王志宽, 任迪远, 周东, 文林, 孙静.中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺. 必威体育下载 , 2012, 61(7): 076101.doi:10.7498/aps.61.076101
[13]	商怀超, 刘红侠, 卓青青.低剂量率60Co γ 射线辐照下SOI MOS器件的退化机理. 必威体育下载 , 2012, 61(24): 246101.doi:10.7498/aps.61.246101
[14]	刘张李, 胡志远, 张正选, 邵华, 宁冰旭, 毕大炜, 陈明, 邹世昌.0.18 m MOSFET器件的总剂量辐照效应. 必威体育下载 , 2011, 60(11): 116103.doi:10.7498/aps.60.116103
[15]	谷文萍, 张进城, 王冲, 冯倩, 马晓华, 郝跃.60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响. 必威体育下载 , 2009, 58(2): 1161-1165.doi:10.7498/aps.58.1161
[16]	彭绍泉, 杜磊, 庄奕琪, 包军林, 何亮, 陈伟华.基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型. 必威体育下载 , 2008, 57(8): 5205-5211.doi:10.7498/aps.57.5205
[17]	杨丽侠, 杜磊, 包军林, 庄奕琪, 陈晓东, 李群伟, 张莹, 赵志刚, 何亮.60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响. 必威体育下载 , 2008, 57(9): 5869-5874.doi:10.7498/aps.57.5869
[18]	蒋中英, 郁伟中, 赵永富, 蒋锡群, 夏元复.60Co的γ辐照对SB的自由体积和微结构的影响的PALS和FT-IR的研究. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3743-3747.doi:10.7498/aps.55.3743
[19]	何宝平, 陈伟, 王桂珍.CMOS器件60Co γ射线、电子和质子电离辐射损伤比较. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3546-3551.doi:10.7498/aps.55.3546
[20]	罗诗裕, 邵明珠.弯晶的沟道效应. 必威体育下载 , 1986, 35(8): 1002-1009.doi:10.7498/aps.35.1002

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