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摘要

本文设计了一种基于Franz-Keldysh (FK) 效应的GeSi电吸收调制器. 调制器集成了脊形硅单模波导. 光由脊形硅波导以倏逝波形式耦合进锗硅吸收层. 在硅基锗二极管FK效应实验测试的基础上, 有源区调制层锗硅中的硅组分设计为1.19%, 从而使得器件工作在C (1528–1560 nm) 波段. 模拟结果显示该调制器的3 dB带宽可达64 GHz, 消光比为8.8 dB, 而插损仅为2.7 dB.

关键词:

锗硅/
调制器/
电光集成

Abstract

We present a novel GeSi electro-absorption (EA) modulator design on a silicon-on-insulator platform. The GeSi EA modulator is constructed based on the Franz-Keldysh (FK) effect. The light is evanescent-coupled into the GeSi absorption layer from the rib Si waveguide. A contnet of 1.19% Si in SiGe absorption layer is chosen for C (1528–1560 nm) band operation. Simulation shows a high (3 dB) bandwidth of ～ 64 GHz and extinction ratio of 8.8 dB. Especially the insertion loss is as low as 2.7 dB.

Keywords:

作者及机构信息

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号: 61036003, 61176013, 60906035, 61177038) 和国家高技术研究发展计划 (批准号: 2011AA010302) 资助的课题.

Authors and contacts

1.

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61036003, 61176013, 60906035, 61177038), and the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No. 2011AA010302).

参考文献

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施引文献

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