- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要

用来制作光电子器件的(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P为直接带隙的四元合金材料, 对应的发光波长为630 nm, 在其LP-MOCVD (low press-metalorganic chemical vapor deposition)外延生长过程中温度的高低成为影响其质量的关键, 找到合适的生长温度窗口很有必要. 实验中分别在700 ℃, 680 ℃, 670 ℃和660 ℃的条件下生长出作为发光二极管有源区的(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P多量子阱结构, 通过PL谱的测试对比分析, 找出最佳生长温度在670 ℃附近. 之后对比各外延片的PL谱、表面形貌, 并对反应室的气流场进行了模拟, 对各温度下生长状况的原因作出了深入分析. 分析得到,高温下In组分的再蒸发会引起晶格失配并导致位错; 低温下O杂质的并入会形成大量非辐射复合中心影响晶体质量, 因此导致了(Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P生长温度窗口较窄, 文章最后提出In源有效浓度的提高是解决高温生长的一条有效途径.

关键词:

AlGaInP/
温度/
MOCVD

Abstract

The (Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P, four-element alloy, whose band is direct, is used to make optoelectronic devices. The wavelength of the material is about 630nm. When it is epitaxially grown by low press-metalorganic chemical vapor deposition(LP-MOCVD), its quality will depend on temperature, one of the most important conditions. So it is essential to find out the best temperature of growth. The quantum wells of the (Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P are grown at 700 ℃, 680 ℃, 670 ℃ and 660 ℃ respectively. The best temperature, which is found out by the results of photoluminescence PL, is about 670 ℃. The reasons are given by the results of PL, surfaces of wafers and the flow field simulation of MOCVD. The revaporization of In at high temperature and the incorporation of O at low temperature can lead to bad quality. An available path to solve growth at high temperature is to increase the effective density of In.

Keywords:

AlGaInP/
temperature/
MOCVD

作者及机构信息

1.

基金项目:北京市教委项目(批准号: PXM2011_014204_09_000065) 资助的课题.

Authors and contacts

1.

Funds:Project supported by the Project of Beijing Municipal Commision of Education (Grant No. PXM2011_014204_09_000065).

参考文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]

[1]	齐海东, 王晶, 陈中军, 吴忠华, 宋西平.温度对马氏体和铁素体晶格常数影响规律. 必威体育下载 , 2022, 71(9): 098301.doi:10.7498/aps.71.20211954
[2]	王钰豪, 刘建国, 徐亮, 刘文清, 宋庆利, 金岭, 徐寒杨.不同温度压力对浓度反演精度的定量分析. 必威体育下载 , 2021, 70(7): 073201.doi:10.7498/aps.70.20201672
[3]	王苏杰, 李树强, 吴小明, 陈芳, 江风益.热退火处理对AuGeNi/n-AlGaInP欧姆接触性能的影响. 必威体育下载 , 2020, 69(4): 048103.doi:10.7498/aps.69.20191720
[4]	秦杰明, 曹建明, 蒋大勇.Mg0.57Zn0.43O合金薄膜生长及性能表征. 必威体育下载 , 2013, 62(13): 138101.doi:10.7498/aps.62.138101
[5]	李岩, 傅海威, 邵敏, 李晓莉.石墨点阵柱状光子晶体共振腔的温度特性. 必威体育下载 , 2011, 60(7): 074219.doi:10.7498/aps.60.074219
[6]	程正富, 龙晓霞, 郑瑞伦.温度对光学微腔光子激子系统玻色凝聚的影响. 必威体育下载 , 2010, 59(12): 8377-8384.doi:10.7498/aps.59.8377
[7]	韩茹, 樊晓桠, 杨银堂.n-SiC拉曼散射光谱的温度特性. 必威体育下载 , 2010, 59(6): 4261-4266.doi:10.7498/aps.59.4261
[8]	王亚珍, 黄平, 龚中良.温度对微界面摩擦影响的研究. 必威体育下载 , 2010, 59(8): 5635-5640.doi:10.7498/aps.59.5635
[9]	邢海英, 范广涵, 杨学林, 张国义.金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究. 必威体育下载 , 2010, 59(1): 504-507.doi:10.7498/aps.59.504
[10]	陈丕恒, 敖冰云, 李炬, 李嵘, 申亮.温度对bcc铁中He行为影响的模拟研究. 必威体育下载 , 2009, 58(4): 2605-2611.doi:10.7498/aps.58.2605
[11]	陈国庆, 吴亚敏, 陆兴中.金属/电介质颗粒复合介质光学双稳的温度效应. 必威体育下载 , 2007, 56(2): 1146-1151.doi:10.7498/aps.56.1146
[12]	李彤, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 邢艳辉, 韩军, 刘莹, 高国, 沈光地.Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究. 必威体育下载 , 2007, 56(2): 1036-1040.doi:10.7498/aps.56.1036
[13]	谢自力, 张荣, 修向前, 韩平, 刘斌, 陈琳, 俞慧强, 江若琏, 施毅, 郑有炓.用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究. 必威体育下载 , 2007, 56(11): 6717-6721.doi:10.7498/aps.56.6717
[14]	陈新亮, 薛俊明, 张德坤, 孙建, 任慧志, 赵颖, 耿新华.衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响. 必威体育下载 , 2007, 56(3): 1563-1567.doi:10.7498/aps.56.1563
[15]	彭冬生, 冯玉春, 王文欣, 刘晓峰, 施炜, 牛憨笨.一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3606-3610.doi:10.7498/aps.55.3606
[16]	潘教青, 赵谦, 朱洪亮, 赵玲娟, 丁颖, 王宝军, 周帆, 王鲁峰, 王圩.长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备. 必威体育下载 , 2006, 55(10): 5216-5220.doi:10.7498/aps.55.5216
[17]	袁洪涛, 张　跃, 谷景华.原位生长高度定向ZnO晶须. 必威体育下载 , 2004, 53(2): 646-650.doi:10.7498/aps.53.646
[18]	马宏, 陈四海, 金锦炎, 易新建, 朱光喜.1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究. 必威体育下载 , 2004, 53(6): 1868-1872.doi:10.7498/aps.53.1868
[19]	黄劲松, 董逊, 刘祥林, 徐仲英, 葛维琨.AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究. 必威体育下载 , 2003, 52(10): 2632-2637.doi:10.7498/aps.52.2632
[20]	张德恒, 刘云燕, 张德骏.用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导. 必威体育下载 , 2001, 50(9): 1800-1804.doi:10.7498/aps.50.1800

计量

文章访问数:5785
PDF下载量:538
被引次数:0

搜索

留言板

Temperature window of the (Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P growth by MOCVD

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

Temperature window of the (Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P growth by MOCVD

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们