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摘要

从模拟和实验两个方面对高迁移率In0.6Ga0.4As沟道金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件开展研究工作. 研究发现InAlAs势垒层对In0.6Ga0.4As MOSHEMT的特性具有重要影响. 与In0.6Ga0.4As MOSFET相比, In0.6Ga0.4As MOSHEMT表现出优异的电学特性. 实验结果表明, In0.6Ga0.4As MOSHEMT的有效沟道迁移率达到2812 cm2/V·s-1, 是In0.6Ga0.4As MOSFET的3.2倍. 0.02 mm栅长的MOSHEMT器件较相同栅长的MOSFET器件具有更高的驱动电流、更大的跨导峰值、更大的开关比、更高的击穿电压和更小的亚阈值摆幅.

关键词:

Abstract

High-mobility In0.6Ga0.4As channel metal oxide semiconductor high electron mobility transistor (MOSHEMT) and metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) are investigated based on simulation and experiment in this paper. It is found that InAlAs barrier layer has a great influence on the characteristics of In0.6Ga0.4As MOSHEMT. In0.6Ga0.4As MOSHEMT exhibits excellent electrical characteristics compared with In0.6Ga0.4As MOSFET. The experimental results show that the effective channel mobility of MOSHEMT is 2812 cm2/V·s-1, which is 3.2 times that of MOSFET. A 0.02 mm gate length MOSHEMT shows higher drive current, peak transconductance, Ion/Ioff ratio and gate breakdown voltage and lower sub-threshold swing than the MOSFET with the same gate length.

Keywords:

MOSHEMT/
MOSFET/
InGaAs/
Al2O3

作者及机构信息

1.
2.

基金项目:国家重点基础研究发展计划(批准号: 2011CBA00605, 2010CB327501)、国家科技重大专项(批准号: 2011ZX02708-003)资助的课题.

Authors and contacts

1.
2.

Funds:Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant Nos. 2011CBA00605, 2010CB327501) and the National Science and Technology Major Project of the Ministry of Science and Technology of China (Grant No. 2011ZX02708-003).

参考文献

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[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]

[1]	贾晓菲, 魏群, 张文鹏, 何亮, 武振华.10 nm金属氧化物半导体场效应晶体管中的热噪声特性分析. 必威体育下载 , 2023, 72(22): 227303.doi:10.7498/aps.72.20230661
[2]	张梦, 姚若河, 刘玉荣.纳米尺度金属-氧化物半导体场效应晶体管沟道热噪声模型. 必威体育下载 , 2020, 69(5): 057101.doi:10.7498/aps.69.20191512
[3]	张梦, 姚若河, 刘玉荣, 耿魁伟.短沟道金属-氧化物半导体场效应晶体管的散粒噪声模型. 必威体育下载 , 2020, 69(17): 177102.doi:10.7498/aps.69.20200497
[4]	彭超, 恩云飞, 李斌, 雷志锋, 张战刚, 何玉娟, 黄云.绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究. 必威体育下载 , 2018, 67(21): 216102.doi:10.7498/aps.67.20181372
[5]	李琦, 章勇.基于Al2O3/MoO3复合阳极缓冲层的倒置聚合物太阳能电池的研究. 必威体育下载 , 2018, 67(6): 067201.doi:10.7498/aps.67.20172311
[6]	周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 王冠宇.应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型. 必威体育下载 , 2014, 63(1): 017101.doi:10.7498/aps.63.017101
[7]	黄苑, 徐静平, 汪礼胜, 朱述炎.不同散射机理对 Al2O3/InxGa1-xAs nMOSFET 反型沟道电子迁移率的影响. 必威体育下载 , 2013, 62(15): 157201.doi:10.7498/aps.62.157201
[8]	伍君博, 唐新桂, 贾振华, 陈东阁, 蒋艳平, 刘秋香.钇和镧掺杂氧化铝陶瓷的热导及其介电弛豫特性研究. 必威体育下载 , 2012, 61(20): 207702.doi:10.7498/aps.61.207702
[9]	高博, 余学峰, 任迪远, 崔江维, 兰博, 李明, 王义元.p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究. 必威体育下载 , 2011, 60(6): 068702.doi:10.7498/aps.60.068702
[10]	李斌, 刘红侠, 袁博, 李劲, 卢凤铭.应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型. 必威体育下载 , 2011, 60(1): 017202.doi:10.7498/aps.60.017202
[11]	李伟华, 庄奕琪, 杜磊, 包军林.n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究. 必威体育下载 , 2009, 58(10): 7183-7188.doi:10.7498/aps.58.7183
[12]	毕志伟, 冯倩, 郝跃, 岳远征, 张忠芬, 毛维, 杨丽媛, 胡贵州.Al2O3介质层厚度对AlGaN/GaN金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管性能的影响. 必威体育下载 , 2009, 58(10): 7211-7215.doi:10.7498/aps.58.7211
[13]	冯倩, 郝跃, 岳远征.Al2O3绝缘层的AlGaN/GaN MOSHEMT器件研究. 必威体育下载 , 2008, 57(3): 1886-1890.doi:10.7498/aps.57.1886
[14]	周丽宏, 张崇宏, 李炳生, 杨义涛, 宋银.注入Ar+的蓝宝石晶体退火前后光致发光谱的分析. 必威体育下载 , 2008, 57(4): 2562-2566.doi:10.7498/aps.57.2562
[15]	廖国进, 闫绍峰, 巴德纯.铈掺杂氧化铝薄膜的蓝紫色发光特性. 必威体育下载 , 2008, 57(11): 7327-7332.doi:10.7498/aps.57.7327
[16]	宋银, 王志光, 魏孔芳, 张崇宏, 刘纯宝, 臧航, 周丽宏.退火对He注入及随后208Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响. 必威体育下载 , 2007, 56(1): 551-555.doi:10.7498/aps.56.551
[17]	周显明, 汪小松, 李赛男, 李俊, 李加波, 经福谦.强冲击压缩下LiF，Al2O3和LiTaO3单晶的透光性. 必威体育下载 , 2007, 56(8): 4965-4970.doi:10.7498/aps.56.4965
[18]	杨晓杰, 王青, 马文全, 陈良惠.InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算. 必威体育下载 , 2007, 56(9): 5429-5435.doi:10.7498/aps.56.5429
[19]	张志勇, 王太宏.单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件. 必威体育下载 , 2003, 52(7): 1766-1770.doi:10.7498/aps.52.1766
[20]	任红霞, 郝跃, 许冬岗.N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究. 必威体育下载 , 2000, 49(7): 1241-1248.doi:10.7498/aps.49.1241

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