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摘要

基于金属-氧化物-半导体-场效应管(MOSFET)辐射损伤的微观机理,推导出了MOSFET经历辐照之后氧化层空穴俘获与阈值电压漂移之间关系的表达式.又根据MOSFET中1/f噪声产生的微观机理,建立了辐照之前MOSFET的1/f噪声功率谱幅值与阈值电压漂移量之间的定量关系,并通过实验予以验证.结果表明,辐照之前的1/f噪声功率谱幅值与辐照之后的阈值电压漂移量存在正比例关系,阈值电压漂移量可以反映出MOSFET内部的潜在缺陷的退化程度,因此,该模型有助于利用1/f噪声参量来表征MOSFET内部潜在缺陷的数量和严重程度.

关键词:

Abstract

Based on metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) microscopic mechanism of radiation damage, a relation between radiation induced increase in number of oxide hole-traps and post-irradiation threshold voltage drift is proposed. Then, Based on MOSFET microscopic mechanism of1/f noise generation, a quantitative relationship between pre-irradiation1/f noise power spectral amplitude and post-irradiation threshold voltage drift is founded, which accords well with the experimental results. This relationship shows that pre-irradiation1/f noise power spectral amplitude is proportional to post-irradiation threshold voltage drift, which can reflect the degradation of latent defect in MOSFET. So, this modal is helpful to characterize the quantity and severity of latent defect in MOSFET by using1/f noise parameters.

Keywords:

作者及机构信息

1. 通信作者:孙鹏,stevesun517@gmail.com

基金项目:国家自然科学基金(批准号: 60276028)资助的课题.

Authors and contacts

1. Corresponding author:Sun Peng,stevesun517@gmail.com

Funds:Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 60276028)

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[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
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[25]
[26]
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[28]
[29]
[30]
[31]
[32]
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施引文献

[1]
[2]
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[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
[31]
[32]
[33]

[1]	赵启凤, 庄奕琪, 包军林, 胡为.基于1/f噪声的NPN晶体管辐照感生电荷的定量分离. 必威体育下载 , 2015, 64(13): 136104.doi:10.7498/aps.64.136104
[2]	刘宇安, 庄奕琪, 杜磊, 苏亚慧.氮化镓基蓝光发光二极管伽马辐照的1/f噪声表征. 必威体育下载 , 2013, 62(14): 140703.doi:10.7498/aps.62.140703
[3]	陈海鹏, 曹军胜, 郭树旭.高功率半导体激光器结温与1/f噪声的关系研究. 必威体育下载 , 2013, 62(10): 104209.doi:10.7498/aps.62.104209
[4]	李扬, 郭树旭.基于稀疏分解的大功率半导体激光器1/f噪声参数估计的新方法. 必威体育下载 , 2012, 61(3): 034208.doi:10.7498/aps.61.034208
[5]	吴少兵, 陈实, 李海, 杨晓非.TMR与GMR传感器1/f噪声的研究进展. 必威体育下载 , 2012, 61(9): 097504.doi:10.7498/aps.61.097504
[6]	孙鹏, 杜磊, 陈文豪, 何亮, 张晓芳.金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究. 必威体育下载 , 2012, 61(10): 107803.doi:10.7498/aps.61.107803
[7]	林丽艳, 杜磊, 包军林, 何亮.光电耦合器电离辐射损伤电流传输比1/f噪声表征. 必威体育下载 , 2011, 60(4): 047202.doi:10.7498/aps.60.047202
[8]	代煜, 张建勋.基于小波变换和维纳滤波的半导体器件1/f噪声滤波. 必威体育下载 , 2011, 60(11): 110516.doi:10.7498/aps.60.110516
[9]	陈文豪, 杜磊, 殷雪松, 康莉, 王芳, 陈松.PbS红外探测器低频噪声物理模型及缺陷表征研究. 必威体育下载 , 2011, 60(10): 107202.doi:10.7498/aps.60.107202
[10]	张振国, 郜峰利, 郭树旭, 李雪妍, 于思瑶.一种估计半导体激光器1/f噪声参数的新方法. 必威体育下载 , 2009, 58(4): 2772-2775.doi:10.7498/aps.58.2772
[11]	李伟华, 庄奕琪, 杜磊, 包军林.n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究. 必威体育下载 , 2009, 58(10): 7183-7188.doi:10.7498/aps.58.7183
[12]	陈伟华, 杜磊, 庄奕琪, 包军林, 何亮, 张天福, 张雪.MOS结构电离辐射效应模型研究. 必威体育下载 , 2009, 58(6): 4090-4095.doi:10.7498/aps.58.4090
[13]	杨丽侠, 杜磊, 包军林, 庄奕琪, 陈晓东, 李群伟, 张莹, 赵志刚, 何亮.60Co γ-射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响. 必威体育下载 , 2008, 57(9): 5869-5874.doi:10.7498/aps.57.5869
[14]	彭绍泉, 杜磊, 庄奕琪, 包军林, 何亮, 陈伟华.基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型. 必威体育下载 , 2008, 57(8): 5205-5211.doi:10.7498/aps.57.5205
[15]	谭开洲, 胡刚毅, 杨谟华, 徐世六, 张正璠, 刘玉奎, 何开全, 钟怡.一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究. 必威体育下载 , 2008, 57(3): 1872-1877.doi:10.7498/aps.57.1872
[16]	李瑞珉, 杜磊, 庄奕琪, 包军林.MOSFET 辐照诱生界面陷阱形成过程的1/f噪声研究. 必威体育下载 , 2007, 56(6): 3400-3406.doi:10.7498/aps.56.3400
[17]	李忠贺, 刘红侠, 郝跃.超深亚微米PMOS器件的NBTI退化机理. 必威体育下载 , 2006, 55(2): 820-824.doi:10.7498/aps.55.820
[18]	胡瑾, 杜磊, 庄奕琪, 包军林, 周江.发光二极管可靠性的噪声表征. 必威体育下载 , 2006, 55(3): 1384-1389.doi:10.7498/aps.55.1384
[19]	孙涛, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨.HgCdTe长波光伏探测器的表面漏电流及1/f噪声研究. 必威体育下载 , 2005, 54(7): 3357-3362.doi:10.7498/aps.54.3357
[20]	包军林, 庄奕琪, 杜磊, 李伟华, 万长兴, 张萍.N/P沟道MOSFET1/f噪声的统一模型. 必威体育下载 , 2005, 54(5): 2118-2122.doi:10.7498/aps.54.2118

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