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采用H162O/H182O接续氧化并结合同位素示踪方法,研究了铜薄膜在水汽中氧化的传质机理.将真空热蒸发制备的铜薄膜样品,分别在H162O,H182O中以及H162O/H182O接续进行氧化处理;利用X射线衍射(XRD)研究了氧化产物的形态和结构

关键词:

In this paper, a new method is proposed to investigate the transport mechanism of copper thin film oxidation in water vapor using H162O/H182O isotopic labeling. Copper thin films are prepared on glass substrates by vacuum deposition. The structure of copper oxide film is analysed by X-ray diffraction (XRD). The distributions of16O and18O in the oxide film are analysed by secondary ion mass spectroscopy (SIMS). The results demonstrate that the transport mechanism of copper film oxidation is short-circuit diffusion mechanism.

Keywords:

作者及机构信息

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号:50871031,50701010),上海市自然科学基金(批准号:09ZR1402600)和上海市基础研究重点项目(批准号:09JC1401600)资助的课题.

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施引文献

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