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摘要

在自旋电子学研究中,一般以超晶格结构、自旋阀、隧道结来实现,另一种自旋注入典型方法是稀磁半导体材料,如GaMnAs,本文通过颗粒膜实现自旋注入,利用磁控溅射法将Fe颗粒嵌入GaAs阵体上,制备了(GaAs)19Fe81颗粒膜样品,在室温条件下观测到15 μΩ ·cm最大饱和霍尔电阻率,该效应比纯铁的饱和霍尔电阻率大了一个数量级,成功地实现了自旋注入.

关键词:

In spintronics, general spin injection is achieved by the superlattice, spin valve, tunnel junction, other typical method of spin injection is to dilute magnetic semiconductor such as: GaMnAs. In this paper, spin Fe particles are injected into the GaAs matrix by using the magnetron sputtering to form the granular film (GaAs)19Fe81, in which saturated Hall resistivity ρxys is shown to be 15 μΩ·cm at room temperature, which is about 2 orders larger than that of pure Fe. So the spin injection is successfully realized.

Keywords:

作者及机构信息

王志明

1.

基金项目:南京大学固体微结构物理实验室开发课题(批准号:M23005)资助的课题.

Authors and contacts

Wang Zhi-Ming

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参考文献

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施引文献

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