- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要

本文系统研究了AlGaN/GaN基高速电子迁移率晶体管器件界面热阻和工作温度对器件在高功率下的电流坍塌效应的影响规律.研究发现低漏极电压下热电子是导致负微分输出电导的重要因素,器件工作温度变高会使负微分输出电导减小.高漏极电压下自加热效应是导致电流坍塌的一个重要因素.随着界面热阻的增加,器件跨导降低,阈值电压增大.同时,由于工作环境温度的增高,器件随之温度增高,载流子迁移率会显著降低. 最终这两种因素会引起AlGaN/GaN基高速电子迁移率晶体管器件显著的电流坍塌效应,从而降低了器件整体性能.

关键词:

Abstract

The effects of operating temperature and the interfacial thermal resistance on device are researched by using a two-dimensional numerical simulator. A comparison between the simulated results and the experiment data demonstrates that hot electrons make a significant contribution to the negative differential output conductance which will increase with the increase of the work temperature under low drain voltage, and under upper drain voltage, the self-heating effect is an important factor to the current collapse which will become more serious with the work temperature and interfacial thermal resistance inereasing.

Keywords:

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]

施引文献

[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]

[1]	王帅, 葛晨, 徐祖银, 成爱强, 陈敦军.微波GaN器件温度效应建模. 必威体育下载 , 2024, 73(17): 177101.doi:10.7498/aps.73.20240765
[2]	郝蕊静, 郭红霞, 潘霄宇, 吕玲, 雷志锋, 李波, 钟向丽, 欧阳晓平, 董世剑.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件中子位移损伤效应及机理. 必威体育下载 , 2020, 69(20): 207301.doi:10.7498/aps.69.20200714
[3]	刘静, 王琳倩, 黄忠孝.基于凹槽结构抑制AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌效应. 必威体育下载 , 2019, 68(24): 248501.doi:10.7498/aps.68.20191311
[4]	张岩, 董刚, 杨银堂, 王宁, 王凤娟, 刘晓贤.考虑自热效应的互连线功耗优化模型. 必威体育下载 , 2013, 62(1): 016601.doi:10.7498/aps.62.016601
[5]	马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型. 必威体育下载 , 2012, 61(4): 047301.doi:10.7498/aps.61.047301
[6]	曹磊, 刘红侠.新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究. 必威体育下载 , 2012, 61(17): 177301.doi:10.7498/aps.61.177301
[7]	余晨辉, 罗向东, 周文政, 罗庆洲, 刘培生.新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究. 必威体育下载 , 2012, 61(20): 207301.doi:10.7498/aps.61.207301
[8]	姚洪斌, 郑雨军.NaI分子的非绝热效应. 必威体育下载 , 2011, 60(12): 128201.doi:10.7498/aps.60.128201
[9]	朱正和, 蒙大桥.锕系元素钍到锿的5f电子效应. 必威体育下载 , 2011, 60(4): 040301.doi:10.7498/aps.60.040301
[10]	王林, 胡伟达, 陈效双, 陆卫.AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究. 必威体育下载 , 2010, 59(8): 5730-5737.doi:10.7498/aps.59.5730
[11]	郝立超, 段俊丽.表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究. 必威体育下载 , 2010, 59(4): 2746-2752.doi:10.7498/aps.59.2746
[12]	董浩, 任敏, 张磊, 邓宁, 陈培毅.电流驱动磁化翻转中的热效应. 必威体育下载 , 2009, 58(10): 7176-7182.doi:10.7498/aps.58.7176
[13]	魏巍, 林若兵, 冯倩, 郝跃.场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理. 必威体育下载 , 2008, 57(1): 467-471.doi:10.7498/aps.57.467
[14]	席光义, 任凡, 郝智彪, 汪莱, 李洪涛, 江洋, 赵维, 韩彦军, 罗毅.AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响. 必威体育下载 , 2008, 57(11): 7238-7243.doi:10.7498/aps.57.7238
[15]	郝跃, 韩新伟, 张进城, 张金凤.AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3622-3628.doi:10.7498/aps.55.3622
[16]	焦一鸣, 龙永兴, 董家齐, 石秉仁, 高庆弟.俘获电子效应对低杂波电流驱动的影响. 必威体育下载 , 2005, 54(1): 180-185.doi:10.7498/aps.54.180
[17]	杨林安, 张义门, 龚仁喜, 张玉明.4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析. 必威体育下载 , 2002, 51(1): 148-152.doi:10.7498/aps.51.148
[18]	邵磊, 霍裕昆, 王平晓, 孔青, 袁祥群, 冯量.场极化方向对强激光加速电子效应的影响. 必威体育下载 , 2001, 50(7): 1284-1289.doi:10.7498/aps.50.1284
[19]	黄朝松；任兆杏；邱励俭.LINE-TYING效应对热电子交换模的影响. 必威体育下载 , 1987, 36(8): 1028-1032.doi:10.7498/aps.36.1028
[20]	朱昂如, 吴西林.用能化电子效应考察二次离子的发射机理. 必威体育下载 , 1984, 33(10): 1475-1479.doi:10.7498/aps.33.1475

计量

文章访问数:9529
PDF下载量:1008
被引次数:0

搜索

留言板

Current collapse effect, interfacial thermal resistance and work temperature for AlGaN/GaN HEMTs

摘要

Abstract

作者及机构信息

Authors and contacts

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

Current collapse effect, interfacial thermal resistance and work temperature for AlGaN/GaN HEMTs

摘要

Abstract

作者及机构信息

Authors and contacts

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们