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摘要

为了解半导体衬底与氧化物之间存在的相互作用,以及量子尺寸效应对不同再构体的影响,制备了1—2个原子层厚的TiSi2/Si(100)纳米岛,并使用扫描隧道显微镜(STM)表征手段详细地研究了TiSi2 /Si(100)纳米岛的电子和几何特性. 结果发现:这些纳米岛表面显示出明显的金属性;其空态STM图像具有典型的偏压依赖性:在高偏压下STM 图像由三聚物形成的单胞构成,并在低偏压下STM 图像显示为密堆积的图案,这些不同的图案反映出不同能量位的态密度有明显差异.

关键词:

Abstract

For the investigation of the interface stability of SrTiO3/Sr/Si(100) system during high temperature annealing process, we have grown 1—2 atom layer SrTiO3 ultra-thin film on Sr/Si(100)-2×1 substrate using pulsed laser deposition technique. After annealing, we found that nano-scale islands appear in the surface. These nano-islands show metallic property by scanning tunneling microscopy, and the STM image shows bias voltage dependence of these nano-islands. Oxygen in the oxide reacts with silicon and forms volatile silicon monoxide during vacuum annealing, while Ti atoms in the oxide react with silicon, forming C-54 TiSi2 islands.

Keywords:

作者及机构信息

杨景景¹,
杜文汉²

Authors and contacts

Yang Jing-Jing¹,
Du Wen-Han²

参考文献

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施引文献

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