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本文报道了高压烧结透明低阻ZnO陶瓷的过程,解决了常压下烧结ZnO高阻不透明的问题.在5 GPa,800℃下获得了最佳光电性能的低阻透明ZnO陶瓷,其透过率为49%左右,电阻率为0.57 Ω ·cm,禁带宽度为3.31 eV,载流子浓度为8.36×1017 cm-3,迁移率为23 cm2 ·V-1 ·s-1,良好的n型导电性来自于Zni和Vo

关键词:

高压/
陶瓷/
n-ZnO/
透明

In this paper,the preparetion of transparent ZnO ceramic with with low resistivity by high pressure sintering was reported,and the problem of high resistivity and opaqueness for ZnO under atmospheric pressure sintering was solved. The ZnO ceramic of optimal photoelectronic performance with high transparency and low resistivity under the pressure of 5 GPa and at the temperature of 800℃ was obtained. The transmissivily is about 49%, the electronic resistivity is 0.57 Ω ·cm, the width of band gap is 3.31 eV, the carrier concentration is 8.36×1017 cm-3 and the mobility is 23 cm2 ·V-1 ·s-1. The excellent n-type electrical conductivity is attributed to the contribution of Zni and VO donor defect. The results of this work have important significance for ZnO ceramic application as photoelectronic components for ultraviolet emission.

Keywords:

作者及机构信息

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基金项目:吉林省科技厅项目(批准号:20080510)资助的课题.

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参考文献

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