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利用瞬态光栅激光光谱技术测量了(110)方向生长的本征GaAs/AlGaAs多量子阱的双极扩散系数.室温下,光激发的载流子浓度nex=3.4×1010/cm2时,测得双极扩散系数Da=13.0 cm2/s,载流子的寿命τR=1.9 ns.改变光激发的载流子浓度(nex

关键词:

The ambipolar diffusion coefficient of (110) GaAs/AlGaAs multiple quantum wells was measured by the transient spin grating technique.The ambipolar diffusion coefficient and carrier life time,which are Da=13.0 cm2/s and τR=1.9 ns,were obtained directly by this technique under carrier concentration nex=3.4×1010/cm2 at room temperature.The measured Da keeps almost a constant value when the photoexcited carrier concentration is increased up to 1.2×1011/cm2.

Keywords:

作者及机构信息

基金项目:国家自然科学基金(批准号: 10774183, 10911130356),国家重点科学研究发展计划(批准号: 2009CB930500)和财政部、中国科学院支持项目资助的课题.

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