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用正电子湮没谱和光致发光谱研究了质子辐照后掺锌GaSb中的缺陷.通过分析正电子的缺陷寿命τ2及强度I2的变化发现,在高能质子的辐照下产生了双空位缺陷VGaVSb,可能同时产生了小的空位团.正电子平均寿命τav和S参数随着质子辐照剂量的变化也证明了这一结论.通过分析不同质子辐照剂量下掺锌GaS

关键词:

Positron annihilation spectroscopy(PAS)and photoluminescence (PL) have been adopted to study defects in proton-irradiatied Zn-doped GaSb. A monovacancy VGa having a lifetime of 293 ps was observed in the non-irradiated sampls and a divacancy VGaVSb with a tifetime of 333 ps was identified in the proton-irradiated samples when the fluence reached 3×1015 cm-2.The PL results reveal that the acceptor Zn is not related with proton irradiation-induced defects, which act as non-radiation recombination centers in the samples. The acceptor level of Zn in GaSb has been calculated from the PL spectra. After proton irradiation, interstitial monatomic hydrogen in a negative charge state (Hi-) in GaSb has been found, which acts as a shallow-acceptor. Annealing experiments indicated that the as-grown and proton-irradiated samples have different annealing behaviors, the reason for which was attributed to the existence of monatomic hydrogen interstitials in the proton-irradiated samples.

Keywords:

作者及机构信息

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基金项目:国家自然科学基金(批准号:10375043)和湖北省自然科学基金(批准号:2003ABA021)资助的课题.

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参考文献

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