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摘要

在CdTe太阳电池中，易引入并形成Cu深能级中心. 本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心. 研究中运用密度泛函相关理论，分析闪锌矿结构CdTe，Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度，计算得出Td场和C3v场下Cu2+ d轨道的分裂情况. 计算结果表明，CdTe太阳电池中的Ev+0206 eV和Ev+0122 eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子. 计算结果还表明，掺入Cu可降低CdTe体系能量.

关键词:

Abstract

Cu would be doped and form deep level centers easily in CdTe solar cells. The deep level centers in ZnTe back contact and graphite back contact CdTe solar cells were studied by deep level transient spectroscopy(DLTS). The electronic density of states on zinc blende CdTe，VCd system and CdTe doping Cu were analyzed with density functional theory. The d-orbital splitting of Cu2+ in C3v and Td fields was obtained. The results show that two deep centers Ev+0206 eV and Ev+0122 eV，respectively，are attributed to substitutional Cu，energy of CdTe is reduced after Cu doping，and Cu could replace Cd.

Keywords:

作者及机构信息

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基金项目:国家高技术研究发展计划（批准号：2003AA513010）和国家自然科学基金(批准号：60506004)资助的课题.

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施引文献

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