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摘要

采用气态源分子束外延设备生长了GaAs/AlGaAs束缚态到连续态跃迁结构的太赫兹（THz）量子级联激光器（QCL）有源区结构，研究了半绝缘等离子体波导THz QCL的器件工艺，采用远红外傅里叶变换光谱仪以及探测器测量了器件的电光特性.器件激射频率为32 THz，10 K下的阈值电流密度为275 A/cm2.

关键词:

The active region of GaAs/AlGaAs bound-to-continuum terahertz quantum-cascade laser （THz QCL） is grown by gas-source molecular beam epitaxy. The device fabrication process of semi-insulating surface-plasmon THz QCL is studied in detail. The electrical and optical characteristics of the fabricated THz QCL device are measured using a far-infrared Fourier transform infrared spectrometer with a deuterated triglycerine sulfate far-infrared detector. At 10 K，the measured lasing frequency is 32 THz and the threshold current density is 275 A/cm2.

Keywords:

作者及机构信息

1.

基金项目:国家重点基础研究发展计划（批准号：2007CB310402），国家自然科学基金（批准号：60721004，60606027）、中科院重要方向项目（批准号：KGCX2-YW-231），中科院重大基金和“百人计划”资助的课题.

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参考文献

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施引文献

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