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摘要
根据高功率微波源相互作用腔的物理结构特性，以磁绝缘传输线振荡器（MILO）为例，建立了一种单边二次电子倍增效应（mulitpactor）模型.采用概率统计和蒙特卡罗（MC）模拟方法，计算了敏感曲线和二次电子的时间演化规律，分析了射频场参数对二次电子倍增效应的影响，并提出了减小和抑制二次电子倍增效应的具体措施.

关键词:
单边二次电子倍增效应/

敏感曲线/

二次电子的时间演化
Abstract
According to the interaction cavity structure of high-power microwave sources（HPM）, using magnetically insulated transmission line oscillator （MILO） as example, a one-surface multipactor discharge model is presented. Through the calculations of the susceptibility curves and the secondary electron evolution by using statistics and Monte Carlo simulation method, we analyzed the influence of the parameters of RF on multipactor discharge. Finally, measures for reducing and inhibiting multipactor discharge are proposed.

Keywords:
one-surface multipactor discharge/

susceptibility curves/

secondary electron evolution
作者及机构信息
应旭华,

郝建红

1.

基金项目:国家高技术研究发展计划（863）强辐射重点实验室基金（批准号：20050601）资助的课题.
Authors and contacts
Ying Xu-Hua,

Hao Jian-Hong

1.
参考文献

施引文献

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