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摘要
实验研究了Sn1As20S79非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象，归纳了沉积态样品、退火态样品和光饱和态样品的实验规律，提出和采用紫外光激励的方法试制了Sn1As20S79条形波导，632.8 nm波长导模激励显示该波导具有良好的导波特性.

关键词:
光波导技术/

硫属化合物玻璃/

光阻断效应/

光折变效应
Abstract
Photoinduced changes in refractive index and film thickness of amorphous Sn1As20S79 semiconductor film are studied experimentally. The emperical rules in as-evaporated，annealed and well-illuminated states are obtained respectively. An ultraviolet irradiation technique is presented and employed successfully to fabricate a Sn1As20S79 stripe waveguide, which shaws good characteristics of a waveguide under the 632.8nm guided mode excitation.

Keywords:
optical waveguide technique/

chalcogenide glass/

optical stopping effect/

photoinduced refractive index change effect
作者及机构信息
孙蓓⁴,

陈抱雪⁴,

隋国荣⁴,

王关德⁴,

邹林儿¹,

浜中广见³,

矶守²

基金项目:国家自然科学基金（批准号：60677032），教育部博士学科点专项基金（批准号：20060252005），上海市重点学科建设项目（批准号：T0501）和江西省自然科学基金（批准号：2007JZW2048）资助的课题.
Authors and contacts
Sun Bei⁴,

Chen Bao-Xue⁴,

Sui Guo-Rong⁴,

Wang Guan-De⁴,

Zou Lin-Er¹,

Hiromi Hamanaka³,

Mamoru Iso²
参考文献

施引文献

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