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采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In01Ga09N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为02，此结果支持在圆偏振光激发下，重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1，而不支持1∶1或1∶094的观点同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps，定性分析了自旋弛豫机理，认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.

关键词:
电子自旋/

InGaN/

自旋极化/

自旋弛豫
Abstract
The injection and relaxation of electron spins in In0.1Ga0.9N film were studied by femtosecond time-resolved circularly polarized pump-probe spectroscopy. An initial degree of spin polarization of 02 was obtained, which agrees with 3∶1 ratio of heavy- to light-hole valence bands in transition strength, but not with the 1∶1 or 1∶0.94 ratios. A spin relaxation lifetime of 490±70ps was obtained at room temperature. The spin relaxation mechanism is discussed qualitatively, and is thought to be dominated by BAP mechanism here.

Keywords:
electron spin/

InGaN/

spin polarization/

spin relaxation
作者及机构信息
陈小雪,

滕利华,

刘晓东,

黄绮雯,

文锦辉,

林位株,

赖天树

1.

基金项目:国家自然科学基金(批准号：60490295，60678009)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号：20050558030)资助的课题.
Authors and contacts
Chen Xiao-Xue,

Teng Li-Hua,

Liu Xiao-Dong,

Huang Qi-Wen,

Wen Jin-Hui,

Lin Wei-Zhu,

Lai Tian-Shu

1.
参考文献

施引文献

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