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摘要
结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点，计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3 dB带宽，发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性，分析了对VCSEL结构的要求；分析了分布参数对频率特性的影响，对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3 μm量子点VCSEL结构.

关键词:
量子点/

垂直腔面发射激光器/

微分增益/

3 dB带宽
Abstract
Some important parameters, such as gain, 3 dB bandwidth and threshold current of 1.3 μm quantum dot vertical-cavity surface-emitting laser (QD VCSEL) are theoretically investigated. Some methods are developed to improve the VCSEL's modulation response. Significant improvement are prediced for p-type modulation doping. In connection with the threshold characteristic, we found that a structure with short cavity, multilayer quantum dots stack, p-type modulation doping and double intracavity contact on an un-doped DBR is much better suited to high speed quantum dot VCSELs. The parasitic effects of the VCSEL are analyzed and the influence of packaging of the VCSEL on its modulation responds is analyzed.

Keywords:
quantum dots/

vertical-cavity surface-emitting laser/

differential gain/

3 dB bandwidth
作者及机构信息
彭红玲,

韩勤,

杨晓红,

牛智川

1.

基金项目:国家重点基础研究发展规划(批准号：TG2000036603)，国家重点基金资助项目(批准号：60137020)和国家高技术研究发展计划(批准号：2002AA312080)资助的课题.
Authors and contacts
Peng Hong-Ling,

Han Qin,

Yang Xiao-Hong,

Niu Zhi-Chuan

1.
参考文献

施引文献

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