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详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理，通过对比找到一组合适的Si，Ge和SiGe合金的能带参数，进而应用6×6 k·p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGex/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系，分析Si/Si1-xGex/Si量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律，最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计，有益于优化Si /SiGe量子级联激光器结构.

关键词:
硅锗材料/

量子级联激光器/

子带跃迁/

k·p方法
Abstract
This paper introduces in detail the working principle of Si/SiGe Quantum cascade laser(QCL). Appropriate parameters are used to calculate the hole subband structure of Si/Si1-xGex quantum well using a six-band k·p method.The dispersion relation and energy band for different layer thickness and compositions are investigated. Meanwhile,the energy separations between hole subbands in Si/Si1-xGex/Si quantum wells are also analyzed. Finally the calculated results are used for the Si/SiGe QCL design，which will be beneficial to the structure optimization of Si/SiGe QCL.

Keywords:
SiGe material/

quantum cascade laser/

intersubband transitions/

k·p method
作者及机构信息
林桂江¹,

周志文¹,

赖虹凯¹,

李成¹,

陈松岩¹,

余金中²

基金项目:国家自然科学基金(批准号：60576001，60336010)，福建省青年科技人才创新基金(批准号：2004J021)资助的课题.
Authors and contacts
Lin Gui-Jiang¹,

Zhou Zhi-Wen¹,

Lai Hong-Kai¹,

Li Cheng¹,

Chen Song-Yan¹,

Yu Jin-Zhong²
参考文献

施引文献

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