- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要
就蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大，但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真，深入分析了FP对器件击穿电压的影响.

关键词:
AlGaN/GaN/

HEMT/

场板/

击穿电压
Abstract
Fabrication and the characteristics at room temperature of FP-HEMT are reported, followed by a comparison of the actual characteristics with the conventional HEMT. With the incorporation of field plate, the breakdown voltage was enhanced from 52 to 142V.Comparison between AlGaN/GaN FP-HEMT and the conventional HEMT are also made, using Silvaco, as the simulation tool. The effect of enhancing the breakdown voltage is also investigated.

Keywords:
AlGaN/GaN/

HEMT/

field plate/

breakdown voltage
作者及机构信息
郭亮良,

冯倩,

郝跃,

杨燕

1.

基金项目:国家重大基础研究发展计划(973)(批准号：51327020301，2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号：XA-AM-200616)资助的课题.
Authors and contacts
Guo Liang-Liang,

Feng Qian,

Hao Yue,

Yang Yan

1.
参考文献

施引文献

[1]	武鹏, 李若晗, 张涛, 张进成, 郝跃.AlGaN/GaN肖特基二极管阳极后退火界面态修复技术. 必威体育下载 , 2023, 72(19): 198501.doi:10.7498/aps.72.20230553
[2]	杨初平, 耿屹楠, 王捷, 刘兴南, 时振刚.高气压氦气平行极板击穿电压及场致发射的影响. 必威体育下载 , 2021, 70(13): 135102.doi:10.7498/aps.70.20210086
[3]	刘乃漳, 张雪冰, 姚若河.AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型. 必威体育下载 , 2020, 69(7): 077302.doi:10.7498/aps.69.20191931
[4]	袁嵩, 段宝兴, 袁小宁, 马建冲, 李春来, 曹震, 郭海军, 杨银堂.阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaNHEMTs器件实验研究. 必威体育下载 , 2015, 64(23): 237302.doi:10.7498/aps.64.237302
[5]	朱彦旭, 曹伟伟, 徐晨, 邓叶, 邹德恕.GaN HEMT欧姆接触模式对电学特性的影响. 必威体育下载 , 2014, 63(11): 117302.doi:10.7498/aps.63.117302
[6]	段宝兴, 杨银堂.阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaN HEMTs击穿特性分析. 必威体育下载 , 2014, 63(5): 057302.doi:10.7498/aps.63.057302
[7]	任舰, 闫大为, 顾晓峰.AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管漏电流退化机理研究. 必威体育下载 , 2013, 62(15): 157202.doi:10.7498/aps.62.157202
[8]	段宝兴, 杨银堂, Kevin J. Chen.新型Si3N4层部分固定正电荷AlGaN/GaN HEMTs器件耐压分析. 必威体育下载 , 2012, 61(24): 247302.doi:10.7498/aps.61.247302
[9]	马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型. 必威体育下载 , 2012, 61(4): 047301.doi:10.7498/aps.61.047301
[10]	段宝兴, 杨银堂, 陈敬.F离子注入新型Al0.25Ga0.75 N/GaN HEMT 器件耐压分析. 必威体育下载 , 2012, 61(22): 227302.doi:10.7498/aps.61.227302
[11]	王鑫华, 庞磊, 陈晓娟, 袁婷婷, 罗卫军, 郑英奎, 魏珂, 刘新宇.GaN HEMT栅边缘电容用于缺陷的研究. 必威体育下载 , 2011, 60(9): 097101.doi:10.7498/aps.60.097101
[12]	王鑫华, 赵妙, 刘新宇, 蒲颜, 郑英奎, 魏珂.AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合. 必威体育下载 , 2011, 60(4): 047101.doi:10.7498/aps.60.047101
[13]	张进成, 郑鹏天, 董作典, 段焕涛, 倪金玉, 张金凤, 郝跃.背势垒层结构对AlGaN/GaN双异质结载流子分布特性的影响. 必威体育下载 , 2009, 58(5): 3409-3415.doi:10.7498/aps.58.3409
[14]	王冲, 全思, 张金凤, 郝跃, 冯倩, 陈军峰.AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究. 必威体育下载 , 2009, 58(3): 1966-1970.doi:10.7498/aps.58.1966
[15]	刘林杰, 岳远征, 张进城, 马晓华, 董作典, 郝跃.Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究. 必威体育下载 , 2009, 58(1): 536-540.doi:10.7498/aps.58.536
[16]	魏巍, 林若兵, 冯倩, 郝跃.场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理. 必威体育下载 , 2008, 57(1): 467-471.doi:10.7498/aps.57.467
[17]	魏巍, 郝跃, 冯倩, 张进城, 张金凤.AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析. 必威体育下载 , 2008, 57(4): 2456-2461.doi:10.7498/aps.57.2456
[18]	范隆, 郝跃.辐射感生应力弛豫对AlmGa1－mN/GaN HEMT电学特性的影响. 必威体育下载 , 2007, 56(6): 3393-3399.doi:10.7498/aps.56.3393
[19]	王冲, 冯倩, 郝跃, 万辉.AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究. 必威体育下载 , 2006, 55(11): 6085-6089.doi:10.7498/aps.55.6085
[20]	李东临, 曾一平.InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析. 必威体育下载 , 2006, 55(7): 3677-3682.doi:10.7498/aps.55.3677

计量

文章访问数:10748
PDF下载量:1921
被引次数:0

搜索

留言板

Study of high breakdown-voltage AlGaN/GaN FP-HEMT

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

Study of high breakdown-voltage AlGaN/GaN FP-HEMT

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们