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摘要
采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91)，计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果，分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明，γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.

关键词:
γ- Si3N4/

光学性质/

力学性质/

高压
Abstract
The pressure-dependent electronic structure and physical properties of γ- Si3N4 have been calculated by means of plane wave pseudo-potential method (PWP) using GGA-PW91. Based on the calculations, we analyzed the influence of pressure on the optical and mechanical properties γ-Si3N4, which indicates that γ-Si3N4 is quite suitable for applications under high pressure.

Keywords:
γ-Si3N4/

optical property/

mechanical property/

high pressure
作者及机构信息
丁迎春¹,

徐明³,

潘洪哲¹,

沈益斌¹,

祝文军²,

贺红亮⁴

基金项目:四川省教育厅重点基金(批准号:2005A092)和四川师范大学重点研究经费(批准号:037003)资助的课题.
Authors and contacts
Ding Ying-Chun¹,

Xu Ming³,

Pan Hong-Zhe¹,

Shen Yi-Bin¹,

Zhu Wen-Jun²,

He Hong-Liang⁴
参考文献

施引文献

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