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摘要
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.

关键词:
高电荷态离子/

经典过垒模型/

电子发射产额
Abstract
The electron emission induced by highly charged ions 207Pbq+(24≤q≤36) interacting with Si(110) surface is reported. The result shows that the electron emission yield Y has a strong dependence on the projectile charge state q, incidence angle ψ and impact energy E. In fitting the experimental data we found a nearly 1/tanψ dependence of Y. Theoretical analysis shows that these processes are closely related to the process of potential electron emission based on the classical over_the_barrier model.

Keywords:
highly charged ion (HCI)/

classical over barrier model(COBM)/

electron emission yield
作者及机构信息
王瑜玉³,

赵永涛³,

肖国青²,

房燕³,

张小安²,

王铁山¹,

王释伟¹,

彭海波¹

基金项目:国家自然科学基金(批准号：10405025，10475035)资助的课题.
Authors and contacts
Wang Yu-Yu³,

Zhao Yong-Tao³,

Xiao Guo-Qing²,

Fang Yan³,

Zhang Xiao-An²,

Wang Tie-Shan¹,

Wang Shi-Wei¹,

Peng Hai-Bo¹
参考文献

施引文献

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