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摘要
运用压电调制反射光谱(PzR)方法测量了在以GaAs(311)B为衬底的In0.35Ga0.65As模板上生长的InAs表面量子点结构的反射谱.在77K温度下，观察到了来自样品各个组成结构(包括表面量子点本身、被覆盖层覆盖的量子点、In0.35Ga0.65As模板以及GaAs衬底等)的调制信号.来自表面量子点本身的调制信号是多个清晰的调制峰.用一阶和三阶微分洛伦兹线形对PzR谱中对应结构的实验数据进行了拟合，精确确定了与样品的各个组成结构相对应的调制峰的能量位置.对不同样品PzR谱的差异进行了定性的说明.

关键词:
压电调制光谱/

InAs/GaAs 表面量子点/

洛伦兹线形拟合
Abstract
Piezomodulated reflectance (PzR) spectra have been measured for two samples of InAs surface quantum dots (SQDs) deposited on GaAs (311)B substrates with In0.35Ga0.65As template. At 77K multiple confined-state SQDs transitions can be clearly resolved from the PzR spectra . The detailed optical transition features of SQDs, QDs buried by capping layer, In0.35Ga0.65As template and GaAs substrate layers were obtained from well-fitted PzR spectra using the first or third derivative of a Lorentz line shape. Differences between PzR results of two samples were discussed qualitatively.

Keywords:
piezomodulated reflectance spectra/

InAs/GaAs surface QDs/

Lorentz line shape fitting
作者及机构信息
余晨辉¹,

王茺¹,

龚谦²,

张波¹,

陆卫¹

基金项目:国家自然科学基金(批准号:10474107)资助的课题.
Authors and contacts
Yu Chen-Hui¹,

Wang Chong¹,

Gong Qian²,

Zhang Bo¹,

Lu Wei¹
参考文献

施引文献

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