- 必威体育下载

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

摘要
通过对AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析，建立了一个AlGaN/GaN HEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发，综合考虑了器件结构、半导体表面与界面，以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响.实验反复证明了该模型与实验结果有良好的一致性.

关键词:
AlGaN/GaN HEMT/

直流扫描/

电流崩塌/

模型
Abstract
As the most remarkable effect in GaN microwave power device, Current slump has been studied widely.However,there still exist unsolved proplems.Based on the analysis of experiment and theory on the AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) under dc sweep,an analytical model for the current collapse is developed considering the effects of polarization and surface states.The comparison between simulations and physical measurements shows a good agreement.

Keywords:
AlGaN/GaN HEMT/

DC sweep/

current slump/

model
作者及机构信息
郝跃,

韩新伟,

张进城,

张金凤

1.

基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号：2002CB3119，513270407)，国防科技重点实验室基金(批准号：51433040105DZ0102，51432030204DZ0101)资助的课题.
Authors and contacts
Hao Yue,

Han Xin-Wei,

Zhang Jin-Cheng,

Zhang Jin-Feng

1.
参考文献

施引文献

[1]	王帅, 葛晨, 徐祖银, 成爱强, 陈敦军.微波GaN器件温度效应建模. 必威体育下载 , 2024, 73(17): 177101.doi:10.7498/aps.73.20240765
[2]	谢天赐, 张彬, 贺泊, 李昊鹏, 秦壮, 钱金钱, 石锲铭, LewisElfed, 孙伟民.放疗绝对剂量的数学算法模型. 必威体育下载 , 2021, 70(1): 018701.doi:10.7498/aps.70.20200986
[3]	刘乃漳, 姚若河, 耿魁伟.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型. 必威体育下载 , 2021, 70(21): 217301.doi:10.7498/aps.70.20210700
[4]	刘乃漳, 张雪冰, 姚若河.AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型. 必威体育下载 , 2020, 69(7): 077302.doi:10.7498/aps.69.20191931
[5]	袁嵩, 段宝兴, 袁小宁, 马建冲, 李春来, 曹震, 郭海军, 杨银堂.阶梯AlGaN外延新型Al0.25Ga0.75N/GaNHEMTs器件实验研究. 必威体育下载 , 2015, 64(23): 237302.doi:10.7498/aps.64.237302
[6]	谷文萍, 张林, 李清华, 邱彦章, 郝跃, 全思, 刘盼枝.中子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件电特性的影响. 必威体育下载 , 2014, 63(4): 047202.doi:10.7498/aps.63.047202
[7]	余晨辉, 罗向东, 周文政, 罗庆洲, 刘培生.新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究. 必威体育下载 , 2012, 61(20): 207301.doi:10.7498/aps.61.207301
[8]	马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃.AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型. 必威体育下载 , 2012, 61(4): 047301.doi:10.7498/aps.61.047301
[9]	吕玲, 张进成, 李亮, 马晓华, 曹艳荣, 郝跃.3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响. 必威体育下载 , 2012, 61(5): 057202.doi:10.7498/aps.61.057202
[10]	姜志宏, 王晖, 高超.一种基于随机行走和策略连接的网络演化模型. 必威体育下载 , 2011, 60(5): 058903.doi:10.7498/aps.60.058903
[11]	林丽艳, 杜磊, 包军林, 何亮.光电耦合器电离辐射损伤电流传输比1/f噪声表征. 必威体育下载 , 2011, 60(4): 047202.doi:10.7498/aps.60.047202
[12]	吴华英, 张鹤鸣, 宋建军, 胡辉勇.单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型. 必威体育下载 , 2011, 60(9): 097302.doi:10.7498/aps.60.097302
[13]	毛维, 杨翠, 郝跃, 张进成, 刘红侠, 马晓华, 王冲, 张金风, 杨林安, 许晟瑞, 毕志伟, 周洲, 杨凌, 王昊.场板抑制GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究. 必威体育下载 , 2011, 60(1): 017205.doi:10.7498/aps.60.017205
[14]	李琦, 张波, 李肇基.漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型. 必威体育下载 , 2008, 57(3): 1891-1896.doi:10.7498/aps.57.1891
[15]	李若凡, 杨瑞霞, 武一宾, 张志国, 许娜颖, 马永强.用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究. 必威体育下载 , 2008, 57(4): 2450-2455.doi:10.7498/aps.57.2450
[16]	魏巍, 林若兵, 冯倩, 郝跃.场板结构AlGaN/GaN HEMT的电流崩塌机理. 必威体育下载 , 2008, 57(1): 467-471.doi:10.7498/aps.57.467
[17]	席光义, 任凡, 郝智彪, 汪莱, 李洪涛, 江洋, 赵维, 韩彦军, 罗毅.AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响. 必威体育下载 , 2008, 57(11): 7238-7243.doi:10.7498/aps.57.7238
[18]	张鹤鸣, 崔晓英, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜.应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究. 必威体育下载 , 2007, 56(6): 3504-3508.doi:10.7498/aps.56.3504
[19]	马仲发, 庄奕琪, 杜磊, 包军林, 李伟华.栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型. 必威体育下载 , 2003, 52(8): 2046-2051.doi:10.7498/aps.52.2046
[20]	刘红侠, 方建平, 郝跃.薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究. 必威体育下载 , 2001, 50(6): 1172-1177.doi:10.7498/aps.50.1172

计量

文章访问数:9457
PDF下载量:2230
被引次数:0

搜索

留言板

Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.

Authors and contacts

1.

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

作者中心

必威betway88欢迎你

关于期刊

关于我们