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摘要
采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA)，计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质，得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律，为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.

关键词:
β相氮化硅/

电子结构/

能带结构/

光学性质
Abstract
Electrical structures and optical properties of β-Si3N4 have been calculated by means of plane wave pseudo-potential method (PWP) with GGA. The results such as lattice constants and band structures are in good agreement with experimental data. Furthermore, the pressure-dependent coefficient and band gap of β-Si3N4 have also been calculated, which will be helpful in the application of Si3N4 under high pressure.

Keywords:
β-Si3N4/

electrical structure/

band structure/

optical properties
作者及机构信息
潘洪哲¹,

徐明³,

祝文军²,

周海平¹

基金项目:四川省教育厅重点基金项目(批准号：2005A092)和四川师范大学重点研究项目(批准号：037003)资助的课题.
Authors and contacts
Pan Hong-Zhe¹,

Xu Ming³,

Zhu Wen-Jun²,

Zhou Hai-Ping¹
参考文献

施引文献

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