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摘要
运用电光采样技术揭示了反应离子刻蚀（RIE）ZnTe晶体表面THz辐射的光学整流产生机制，观察到0.25 ps的THz场分布.通过比较刻蚀前后以及不同刻蚀条件下ZnTe样品在不同激发功率下的THz辐射强度，发现由于反应离子刻蚀破坏了ZnTe样品表面的有序性，晶体的电光系数随射频功率的增加而减小.借助于计算不同刻蚀条件下ZnTe晶体的频率响应函数，分析了随射频功率增加ZnTe晶体响应频谱展宽的现象.

关键词:
THz辐射/

反应离子刻蚀/

ZnTe
Abstract
Electro-optic sampling technique is employed to reveal the generation of teraher tz (THz) radiation via optical rectification from reactive ion etched ZnTe surfa ces. The pulsewidth of the observed THz radiation is ～0.25ps. The electro-optic coefficient of the ZnTe samples is found to decrease with the increase of the r adio frequency (RF) power. By calculating the frequency response function, we di scuss the THz bandwidth under different values of RF plasma power.

Keywords:
THz radiation/

reactive ion etched/

ZnTe
作者及机构信息
贺莉蓉¹,

顾春明¹,

沈文忠¹,

曹俊诚²,

小川博司³,

郭其新³

基金项目:国家杰出青年基金(批准号：10125416)和上海市基础研究重点课题(批准号：03JC14082)资助的课题.
Authors and contacts
He Li-Rong¹,

Gu Chun-Ming¹,

Shen Wen-Zhong¹,

Cao Jun-Cheng²,

Hiroshi Ogawa³,

Guo Qi-Xin³
参考文献

施引文献

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