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摘要
根据红外辐射理论和薄膜光学原理计算了高品质ITO(indium tin oxide)导电膜的红外发射率,其理论曲线与实测曲线基本符合. 并得出方块电阻小于30Ω时,ITO膜在红外波段8—14μ m的平均红外发射率理论值小于0.1.实际制备方块电阻小于10Ω的ITO膜具有优良的红外隐身性能. 讨论了高品质ITO膜具有低红外发射率的物理机理,并提出了低红外发射率临界方块电阻值,这有利於理论研究和工艺制备红外隐身ITO膜.

关键词:
红外发射率/

ITO薄膜/

理论计算/

方块电阻
Abstract
Infrared emissivity of high quality indium tin oxide (ITO) film has been calcula ted based on the infrared radiation theory and thin film optical theory, the the oretical curves and the testing curves basically agree with each other. It is concluded that when the sheet resistance is less than 30Ω, the theoretical val ue of infrared emissivity of ITO films on the infrared wave band of 8μm to 14μ m will be less than 0.1. Therefore, the ITO film of practical sheet resistance less than 10Ω has good infrared stealthy capability. Physical mechanism of low infrared emissivity for ITO film is discussed, and the critical sheet resistance of low infrared emissivity, which conduce to the theoretical study and the ma nufacture of infrared stealthy ITO film, is put forward in this paper.

Keywords:
infrared emissivity/

ITO film/

theoretical calculation/

sheet resistance
作者及机构信息
张维佳,

王天民,

钟立志,

吴小文,

崔敏

1.

基金项目:国防基础研究项目（批准号：K1201060805）、国防预研项目(批准号：413100202)资助的课题.
Authors and contacts
Zhang Wei-Jia,

Wang Tian-Min,

Zhong Li-Zhi,

Wu Xiao-Wen,

Cui Min

1.
参考文献

施引文献

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