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从固体模型理论的结果出发，计算了生长于Si（100）衬底上x值小于085的Si1-xGex合金材料（能带结构为类Si结构）的间接带隙与应变的关系，结果表明，应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果，提出了用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度，两者可以较好的符合，表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的.

关键词:
SiGe合金/

应变/

带隙
Abstract
Using the result of model-solid theory,we have obtained the relationship between bandgap and strain of Si1-xGex alloy on Si(100) subs trate with x<085 . It was shown that the deviation between the bandgap of strained SiGe and relax ed SiGe is proportional to the strain. According to the theoretical result, a no vel method was suggested to determine the strain state of SiGe/Si through measur ing the bandgap. The strain in the SiGe/Si multi-quantum wells was measured using the new method and the results had good agreement with that from XRD measurement.

Keywords:
SiGe alloy/

strain/

bandgap
作者及机构信息
成步文,

姚飞,

薛春来,

张建国,

李传波,

毛容伟,

左玉华,

罗丽萍,

王启明

1.

基金项目:国家高技术研究发展计划(批准号：2002AA312010)，国家重点基础研究发展规划(批准号：G 2000036603)和国家自然科学基金(批准号：60336010)资助的课题.
Authors and contacts
Cheng Bu-Wen,

Yao Fei,

Xue Chun-Lai,

Zhang Jian-Guo,

Li Chuan-Bo,

Mao Rong-Wei,

Zuo Yu-Hua,

Luo Li-Ping,

Wang Qi-Ming

1.
参考文献

施引文献

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