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摘要
报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/Ga As量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件，获得了室温1 31μm发光.

关键词:
分子束外延/

量子阱/

二型发光
Abstract
Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyG a1-yAs)/GaAs bilayer quantum wells (BQWs) grown by molecular beam epitaxy (MBE) were carried out. Temperature and excitation power dependent photoluminescence (PL) s tudy indicated that the band alignment of the BQWs is type - Ⅱ. The origin of the double-peak luminescence was discussed. Under optimized growth conditions, t he PL emission wavelength from the BQWs has been extend up to 131 μm with a s ingle peak at room temperature.

Keywords:
molecular beam epitaxy/

bilayer quantum well/

type-Ⅱ luminesce nce
作者及机构信息
徐晓华,

牛智川,

倪海桥,

徐应强,

张纬,

贺正宏,

韩勤,

吴荣汉,

江德生

1.

基金项目:国家自然科学基金（批准号：90201026， 60137020）、863计划资助和中国博士后科学基金支持的课题.
Authors and contacts
Xu Xiao-Hua,

Niu Zhi-Chuan,

Ni Hai-Qiao,

Xu Ying-Qiang,

Zhang Wei,

He Zheng-Hong,

Han Qin,

Wu Rong-Han,

Jiang De-Sheng

1.
参考文献

施引文献

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