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摘要
报道了选用厚度为0.05mm的不锈钢箔作衬底，B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层，制备成功开路电压和填充因子分别达到090V和070的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池.UV-VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征.明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应.

关键词:
氢化纳米硅/

量子尺寸效应/

a-Si∶H太阳电池
Abstract
The successful application of boron_doped hydrogenated nanocrystalline silicon a s window layer in a-Si∶H nip solar cells on stainless steel foil with a thickne ss of 005mm is reported. Open circuit voltage and fill factor of the fabricate d solar cell were 090V and 070 respectively. The optical and structural prop erties of the p-layers have been investigated by using UV-VIS and Raman spectros copy. It is confirmed that the p-layer is hydrogenated nanocrystalline silicon w ith a wide optical gap due to quantum size effect.

Keywords:
hydrogenated nanocrystalline silicon/

quantum size effect/

a-Si based solar cell
作者及机构信息
胡志华³,

廖显伯²,

刁宏伟²,

夏朝凤¹,

曾湘波²,

郝会颖²,

孔光临²

基金项目:国家重大基础研究计划（973）项目（批准号：G2000028201）资助的课题.
Authors and contacts
Hu Zhi-Hua³,

Liao Xian-Bo²,

Diao Hong-Wei²,

Xia Chao-Feng¹,

Zeng Xiang-Bo²,

Hao Hui-Ying²,

Kong Guang-Lin²
参考文献

施引文献

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