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掺杂锰氧化物La0.9Sr0.1MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上，构成p-n结.这种p-n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性.研究结果表明，这种p-n结的结电阻对低磁场敏感，在3×10-2T的磁场下，磁电阻可达70％.磁电阻的正负依赖于温度.磁电阻的大小可通过加在p-n结上的电压调节.

关键词:
p-n结/

掺杂锰氧化物/

硅/

巨磁电阻
Abstract
Simple p_n diodes have been fabricated by direct growth of La0.9Sr0.1MnO3 thin films on n_type silicon substrates.These junctio ns exhibit good rectifying characteristic in a wide temperature range from 50 to 280K.Large magnetoresistance up to 70% was observed in a low field of 3×10-2T in th ese junctions.The junction magnetoresistance depends on bias and temperature.

Keywords:
p-n junction/

manganites/

silicon/

colossal magnetoresistance
作者及机构信息
刘丽峰,

吕惠宾,

戴守愚,

陈正豪

1.
Authors and contacts
Liu Li-Feng,

Lü Hui-Bin,

Dai Shou-Yu,

Chen Zheng-Hao

1.
参考文献

施引文献

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