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摘要
运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p_a_SiC:H/i_a_Si:H/n_a_Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.

关键词:
非晶硅/

太阳电池/

计算机模拟
Abstract
AMPS (Analysis of microelectronic and photonic structures) mode,which was developed by Pennsylvania State University,has been used to module the light J_V c haracteristics of a_Si solar cells with a structure of TCO/p_a_SiC:H/i_a_Si:H/n_ a_Si:H/metal.The effects of valence band offset and contact barriers at p/i and TOC/p,n/metal interfaces on the light J_V characteristics have been examined .The modeling has qualitatively categorized and explained the non_ideal J_V behaviors (rollover,crossover,Voc shift,and rollunder) observed in a_Si based so lar cells.

Keywords:
amorphous silicon/

solar cell/

computer simulation
作者及机构信息
胡志华³,

廖显伯²,

刁宏伟²,

夏朝凤¹,

许玲¹,

曾湘波²,

郝会颖²,

孔光临²

基金项目:国家重大基础研究计划(973)项目(批准号：G2000028201)资助的课题.
Authors and contacts
Hu Zhi-Hua³,

Liao Xian-Bo²,

Diao Hong-Wei²,

Xia Chao-Feng¹,

Xu Ling¹,

Zeng Xiang-Bo²,

Hao Hui-Ying²,

Kong Guang-Lin²
参考文献

施引文献

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