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摘要
报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜（STM）和x射线光电子能谱（XPS）研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式，Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长，而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长，到Ge层的厚度为20个单原子层，衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV，而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV，其相对位移约为01 eV.

关键词:
Ge/

Ru表面/

生长/

相互作用
Abstract
Scanning tunneling microscopy (STM) and x_ray photoemission spectroscopy (XPS) studies of germanium growth on Ru(0001) were carried out. STM measurements showed a typical Stranski_Krastanov growth mode of Ge on Ru(0001), i.e. first atomic wetting layer is formed in the submololayer range, and the formation of islands on top of a flat first layer occurs for subsequent layers. XPS measurements showed a weak interaction between Ge and the substrate of Ru(0001). The Ru 3d5/2 and Ru 3d3/2 corelevels of Ru(0001) are located at 2798 and 2840 eV in binding energy respectively. Upon Ge growth, up to a thickniss of about 20 atomic layers, the Ru 3d corelevels shift downward in binding energy by an amount of about 02 eV，while the Ge 3d corelevel shift upward in binding energy from the Ge low coverage limit of 289 eV to 290 eV，with a relative change of 01 eV.

Keywords:
germanium/

ruthenium surface/

growth/

interaction
作者及机构信息
胡昉²,

张寒洁²,

吕斌²,

陶永升²,

李海洋²,

鲍世宁²,

何丕模²,

王学森¹

基金项目:国家自然科学基金（批准号：10274072）和高等学校博士学科点专项科研基金（批准号： 20030335017）资助的课题.
Authors and contacts
Hu Fang²,

Zhang Han-Jie²,

Lü Bin²,

Tao Yong-Sheng²,

Li Hai-Yang²,

Bao Shi-Ning²,

He Pi-Mo²,

X. S. Wang¹
参考文献

施引文献

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